ASZM040120T

Anbon
ASZM040120T N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET Product Summary V(BR)DSS 1200V ID@25℃ RDS(on)TYP 35mΩ@18V 32mΩ@20V 68A Feature Application  Wide bandgap SiC MOSFET technology  Switch Mode Power Supplies  Low On-Resistance with High Blocking Voltage  Renewable Energy  Low Capacitances with High-Speed switching  Motor Drives  Low reverse recovery(Qrr)  High Voltag...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2474
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= ATSCM40G120W (ATELECT)
 
TO2474 в линейках 30 шт
 
 — — — — — —
P= YJD212040NCFGH (YJ)
 
TO2474 в линейках 30 шт
 
 — — — — — —
A+ YJD212025NCTGH (YJ)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
 — — — — — —
A+ ASZM040120P (ANBON)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
 — — — — — —
A+ ASZM028120P (ANBON)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
 — — — — — —
A+ ASXM028120P (ANBON)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
 — — — — — —
A+ YJD212040NCTG1 (YJ)
 
TO2473 в линейках 1000 шт
 
 —
A+ YJD212040NCFG2 (YJ)
 
TO2474 в линейках 30 шт
 
 —

Файлы 1

показать свернуть
ASZM040120T N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET Product Summary V(BR)DSS 1200V ID@25℃ RDS(on)TYP 35mΩ@18V 32mΩ@20V 68A Feature Application  Wide bandgap SiC MOSFET technology  Switch Mode Power Supplies  Low On-Resistance with High Blocking Voltage  Renewable Energy  Low Capacitances with High-Speed switching  Motor Drives  Low reverse recovery(Qrr)  High Voltage DC/DC Converters Package Marking Circuit diagram ASZM040120T XXXXXX S2 S1 G D TO-247-4 Absolute maximum ratings (TC=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Test Condition VGS = 0V, ID = 100μA Value Unit 1200 V Drain-Source Voltage VDS Gate-Source Voltage VGSmax AC (f > 1 Hz) -10/+25 V Gate-Source Voltage VGSOP Static -4/+18 V Continuous Drain Current Pulsed Drain Current Power Dissipation Thermal Resistance（Typ） ID VGS = 18V, TC=25℃ 68 A ID VGS = 18V, TC=100℃ Pulse with tp limited by Tjmax at 1 ms Pulse with tp limited by Tjmax at 100 µs TC=25℃ 48 133 319 340 A W Junction-to-Case 0.44 ℃/W ID,pulse PD RθJC A Junction Temperature TJ -55~ +175 ℃ Storage Temperature TSTG -55~ +175 ℃ Page 1 Document ID Issued Date Revised Date Revision Page. AS-3270080 2013/03/08 2024/02/28 B 7 PDF
Документация на ASZM040120T 

Subject:

Дата модификации: 29.02.2024

Размер: 1.34 Мб

7 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    08 июля
    новость

    На склад КОМПЭЛ поступили SiC-MOSFET производства ATS и Anbon

    Карбид кремния как материал, обладающий полупроводниковыми свойствами, известен более века, но его массовое применение в полупроводниковых приборах началось относительно недавно благодаря усовершенствованию и удешевлению технологии производства.... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)