ASZM040120P

Anbon
ASZM040120P N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET Product Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID@25℃ 1200V 48mΩ@18V 68A Feature Application  Wide bandgap SiC MOSFET technology  Switch mode power supplies  Low On-Resistance with High Blocking Voltage  Renewable energy  Low Capacitances with High-Speed switching  Motor drives  Low reverse recovery(Qrr)  High voltage DC/DC...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2473
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= YJD212040NCTG1 (YJ)
 
TO2473 в линейках 1000 шт
 
 —
P= ATSCM33G120W (ATELECT)
 
TO2474 в линейках 30 шт
 
 — — — — —
P= ASZM032120T (ANBON)
 
TO2474
 
 — — — — — — — — — — — —
A+ YJD212040NCFG2 (YJ)
 
TO2474 в линейках 30 шт
 
 —
A+ ASZM040120T (ANBON)
 
TO2474 в линейках 30 шт
 
 — — — — — —
A+ ASZM028120P (ANBON)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
 — — — — — —
A+ ASXM028120P (ANBON)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
 — — — — — —
A+ YJD212025NCTGH (YJ)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
 — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
ASZM040120P N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET Product Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID@25℃ 1200V 48mΩ@18V 68A Feature Application  Wide bandgap SiC MOSFET technology  Switch mode power supplies  Low On-Resistance with High Blocking Voltage  Renewable energy  Low Capacitances with High-Speed switching  Motor drives  Low reverse recovery(Qrr)  High voltage DC/DC converters Package Marking Circuit diagram ASZM040120P XXXXXX G TO-247-3 D S Absolute maximum ratings (TC=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Test Condition Value Unit 1200 V Drain-Source Voltage VDSmax VGS = 0V, IDS =100µA Gate-Source Voltage VGSmax AC (f > 1 Hz) -10/+25 V Gate-Source Voltage VGSOP Static -4/+18 V Continuous Drain Current ID VGS =18V,TC=25℃ 68 A ID VGS =18V,TC=100℃ 48 133 319 340 A Pulse with tp limited by Tjmax at 1 ms Pulse with tp limited by Tjmax at 100 µs TC=25℃ W Junction-to-Case 0.44 ℃/W Pulsed Drain Current IDM Power Dissipation PD Thermal Resistance(Typ) RθJC A Junction Temperature TJ -55 ~ +175 ℃ Storage Temperature TSTG -55 ~ +175 ℃ Page 1 Document ID Issued Date Revised Date Revision Page. AS-3270069 2013/03/08 2024/01/31 B 7 PDF
Документация на ASZM040120P 

Subject:

Дата модификации: 31.01.2024

Размер: 1.45 Мб

7 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    08 июля 2024
    новость

    На склад КОМПЭЛ поступили SiC-MOSFET производства ATS и Anbon

    Карбид кремния как материал, обладающий полупроводниковыми свойствами, известен более века, но его массовое применение в полупроводниковых приборах началось относительно недавно благодаря усовершенствованию и удешевлению технологии производства.... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)