ATSCM33G120V

ATSCM33G120V Silicon Carbide Power MOSFET Product Summary Chip Type ATSCM33G120V VDS ID 1200V 69A RDS(ON) 33mΩ Features Benefits • • • • • • • High Blocking Voltage High Frequency Operation Low on-resistance Fast intrinsic diode with low reverse recovery 100% avalanche tested Package TO-247-3 • • • Higher system efficiency Parallel device convenience without thermal runaway High T...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-247-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 9

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= YJD212030NCTGH (YJ)
 
TO2473
 
P= ASZM032120P (ANBON)
 
TO2473
 
A+ YJD212040NCFG2 (YJ)
 
TO2474 в линейках 30 шт
 
A+ YJD212025NCTGH (YJ)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
A+ ATSCM33G120W (ATELECT)
 
TO2474 в линейках 30 шт
 
A+ ASZM040120T (ANBON)
 
TO2474 в линейках 30 шт
 
A+ ASZM040120P (ANBON)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
A+ ASZM028120P (ANBON)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
A+ YJD212040NCTG1 (YJ)
 
TO2473 в линейках 1000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.