YJD212060TLGH

SUNCOYJ
RoHS YJD212060TLGH COMPLIANT Silicon Carbide Power MOSFET （N-Channel Enhancement） VDS 1200V ID（25°C） 42.5A RDS(on) 60mΩ Features ● High speed switching ● Essentially no switching losses ● Reduction of heat sink requirements ● Maximum working temperature at 175 °C ● High blocking voltage ● Fast Intrinsic diode with low recovery current ● High-frequency operation ● Halogen free, RoH...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TOLL
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJD212060TLGH COMPLIANT Silicon Carbide Power MOSFET （N-Channel Enhancement） VDS 1200V ID（25°C） 42.5A RDS(on) 60mΩ Features ● High speed switching ● Essentially no switching losses ● Reduction of heat sink requirements ● Maximum working temperature at 175 °C ● High blocking voltage ● Fast Intrinsic diode with low recovery current ● High-frequency operation ● Halogen free, RoHS compliant Typical Applications Typical applications are in power factor correction(PFC), solar inverter, uninterruptible power supply, motor drives, photovoltaic inverter, electric car and charger. Mechanical Data ● Package: TOLL ● Terminals: Tin plated leads ● Polarity: As marked ■Maximum Ratings (TC=25℃ Unless otherwise specified） PARAMTETER SYMBOL UNIT VALUE Device marking code TEST CONDITIONS D212060TLGH Drain source voltage @ Tj=25°C VDS,max V 1200 VGS=0 V, ID=100uA Gate source voltage @ Tj=25°C VGS,max V -10/+25 Absolute maximum values (AC f > 1Hz, duty cycle < 1%) Gate source voltage @ Tj=25°C VGS,op V -5/+20 Recommended operational values 42.5 VGS=20V, Tc=25℃ ID A 28.5 VGS=20V, Tc=110℃ Continuous drain current @ Tc=25°C Pulse Drain Current Fig.19 ID, pulse A 121 Limited by tpw Avalanche energy, Single Pulse EAS J 1.25 VDD=75V, L=25uH Power Dissipation PTOT W 234.4 Tc=25°C , Tj = 175℃ Tj ,Tstg °C -55 to +175 TL °C 260 Operating junction and Storage temperature range Note1 Fig.14 Continuous drain current @ Tc=110°C Soldering temperature NOTE Fig.13 1.6mm (0.063’’) from case for 10s 1/9 S-SIC199 Rev.1.0,23-May-24 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJD212060TLGH 

Microsoft Word - YJD212060TLGH

Дата модификации: 22.05.2024

Размер: 1.4 Мб

9 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    вчера
    новость

    Новые карбид-кремниевые MOSFET-транзисторы SUNCOYJ в корпусе TOLL для компактных устройств высокой мощности

    Китайская компания SUNCOYJ начала выпуск новых MOSFET–транзисторов на основе карбида кремния в корпусе TOLL (таблица 1). Этот корпус рассчитан на большие токи до 300 А, а его выводы обладают низкой паразитной индуктивностью. Ее значения у... ...читать

    26 июля
    новость

    Новинка от SUNCOYJ: SiC-транзисторы в корпусе TOLL

    Современная тенденция в развитии силовой электроники – переход от кремния к карбиду кремния (SiC). Главная особенность SiC – более широкая запрещенная зона полупроводника. На практике это означает возможность работы при более высоких температурах,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)