YJD206520TLGH

SUNCOYJ
RoHS YJD206520TLGH COMPLIANT Silicon Carbide Power MOSFET （N-Channel Enhancement） VDS 650V ID（25°C） 92A RDS(on) 20mΩ Features ● High speed switching ● Essentially no switching losses ● Reduction of heat sink requirements ● Maximum working temperature at 175 °C ● High blocking voltage ● Fast Intrinsic diode with low recovery current ● High-frequency operation ● Halogen free, RoHS c...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TOLL
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJD206520TLGH COMPLIANT Silicon Carbide Power MOSFET （N-Channel Enhancement） VDS 650V ID（25°C） 92A RDS(on) 20mΩ Features ● High speed switching ● Essentially no switching losses ● Reduction of heat sink requirements ● Maximum working temperature at 175 °C ● High blocking voltage ● Fast Intrinsic diode with low recovery current ● High-frequency operation ● Halogen free, RoHS compliant Typical Applications Typical applications are in power factor correction(PFC), solar inverter, uninterruptible power supply, motor drives, photovoltaic inverter, electric car and charger. Mechanical Data ● Package: TOLL ● Terminals: Tin plated leads ● Polarity: As marked ■Maximum Ratings (TC=25℃ Unless otherwise specified） PARAMTETER SYMBOL UNIT VALUE Device marking code TEST CONDITIONS D206520TLGH Drain source voltage @ Tj=25°C VDS,max V 650 VGS=0 V, ID=100uA Gate source voltage @ Tj=25°C VGS,max V -10/+25 Absolute maximum values (AC f > 1Hz, duty cycle < 1%) Gate source voltage @ Tj=25°C VGS,op V -5/+20 Recommended operational values 92 VGS=20V, Tc=25℃ ID A 59 VGS=20V, Tc=110℃ Continuous drain current @ Tc=25°C Pulse Drain Current Fig.19 ID, pulse A 319 Limited by tpw Avalanche energy, Single Pulse EAS J 1 VDD=75V, L=30mH Power Dissipation PTOT W 263 Tc=25°C , Tj = 175℃ Tj ,Tstg °C -55 to +175 TL °C 260 Operating junction and Storage temperature range Note1 Fig.14 Continuous drain current @ Tc=110°C Soldering temperature NOTE Fig.13 1.6mm (0.063’’) from case for 10s 1/9 S-SIC298 Rev.1.1,01-Jul-24 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJD206520TLGH 

Microsoft Word - YJD206520TLGH

Дата модификации: 01.07.2024

Размер: 1.28 Мб

9 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    26 июля
    новость

    Новинка от SUNCOYJ: SiC-транзисторы в корпусе TOLL

    Современная тенденция в развитии силовой электроники – переход от кремния к карбиду кремния (SiC). Главная особенность SiC – более широкая запрещенная зона полупроводника. На практике это означает возможность работы при более высоких температурах,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)