Зарядные станции электротранспорта на основе компонентов JSCJ
18 июня
Стремительный рост электротранспортной индустрии требует постоянного совершенствования зарядной инфраструктуры. Время зарядки аккумуляторов – очень важный фактор эффективности, ведь его скорость позволяет компенсировать ограниченный запас хода и значительно увеличить коэффициент времени эксплуатации электротранспорта. В связи с этим повышение мощности стало тенденцией в развитии зарядных станций. Если ранее номинальная мощность станций заряда электротранспорта общего пользования была в среднем 60 кВт, то теперь она увеличена до 120, а в ряде случаев и до 240 кВт.
Совершенствование зарядных станций продолжается, и компания JSCJ обеспечивает необходимые для этого разработку, производство и поставку силовых и других полупроводниковых компонентов.
На рисунке 1 показана блок-схема применения выпрямительных и ключевых компонентов станции заряда электромобилей. Первичная и вторичная стороны преобразователя могут быть выполнены на базе компонентов JSCJ, представленных в таблицах 1 и 2: транзисторов MOSFET и IGBT, соответственно. В таблице 3 перечислены быстровосстанавливающиеся, выпрямительные диоды и диоды Шоттки.
Рис. 1 Схема зарядной станции, предлагаемая компанией JSCJ
Таблица 1. N-канальные MOSFET производства компании JSCJ
| Наименование | Напряжение «сток-исток» VDS, В | Ток стока ID (tj = 25°C), А | Сопротивление открытого канала RDS(ON), мОм | Диапазон порогового напряжения затвора VGS(th), В | Заряд затвора Qq, нК | Входная емкость Ciss, пФ | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CJWT030JN65AD | 650 | – | 26 | 3,0…5,0 | 226 | 8473 | TO-247 |
| CJWQ032CP120M1H | 1200 | 89 | 32 | 2,0…4,0 | 129 | 2517 | TO-247-4L |
| CJWT040CP120M1H | 1200 | 88 | 40 | 2,3…4,0 | 132 | 3030 | TO-247 |
| CJWQ040CP120M1H | – | 38 | TO-247-4L | ||||
| CJPF08N90M1 | 900 | 8 | 1000 | 2,0…4,0 | 44 | 2177 | TO-220F |
Таблица 2. IGBT производства JSCJ с рабочим напряжением 650 В
| Наименование | Ток коллектора IC, А | Напряжение насыщения VCEsat, В | Энергия переключений, мДж | Встроенный диод | Частота переключений, кГц | Корпус | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Tj = 100°C | Tj = 25°C | Вкл. Eon | Выкл. Eoff | |||||
| CGWT80N65F2KAD | 80 | 100 | 1,75 | 2,69 | 0,87 | Si | 20…45 | TO-247 |
| CGWT80N65F2KAS | 1,7 | 1,87 | 0,99 | SiC | ||||
Таблица 3. Быстровосстанавливающиеся (FRD), выпрямительные (RD) и диоды Шоттки (SBD) производства компании JSCJ
| Тип | Наименование | Обратное напряжение VR, В | Прямой ток IF, А | Импульсный ток IFSM, А | Падение напряжения VF, В | Время восстановления trr, нс | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SBD | SBD30100TCTB | 100 | 30 (2х15) | 260 | 0,60 | – | TO-220 (2 диода, общий катод) |
| SBD40100TCTB | 100 | 40 (2х20) | 250 | 0,67 | – | ||
| FRD | MURW30H120 | 1200 | 30 | 250 | 2,8 | 35 | TO-247-2L |
| MURW60H120 | 1200 | 60 | 500 | 2,8 | 30 | ||
| MURW75H60L | 600 | 75 | 664 | 1,3 | 36 | ||
| MURW75H65 | 650 | 75 | 520 | 2,1 | 29 | ||
| RD | GBRW60160 | 1600 | 60 | 1160 | 1,0 | – |
В таблицах 4 и 5 представлены компоненты, выпускаемые компанией JSCJ, которые также можно применять в зарядной станции для обеспечения цифровых и аналоговых узлов и управления сигналами низковольтным стабилизированным питанием.
Таблица 4. Биполярные транзисторы и сборки JSCJ
| Полярность | Наименование | Ток коллектора IC, А | Напряжение, В | Корпус | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Коллектор-эмиттер VCEO | Коллектор-база VCBO | Насыщения VCE(SAT) | ||||
| NPN | MMBT4401 | 0,6 | 40 | 60 | 0,4 | SOT-23 |
| FZT692B | 4,5 | 70 | 70 | 0,5 | SOT-223 | |
| PNP | MMBT4403 | -0,6 | -40 | -40 | -0,4 | SOT-23 |
| FZT954 | -5 | -100 | -140 | -0,34 | SOT-223 | |
Таблица 5. Стандартные регуляторы напряжения, а также компоненты c малым падением напряжения (LDO) производства JSCJ
| Тип | Наименование | Напряжение, В | Ток Iout, А | Максимальное потребление в покое Iq, мА |
Корпус | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Вход Vin | Выход Vout | |||||
| Регулятор | CJ7812 | 35 | 12 | 1,5 | 8 | TO-220, TO-251, TO-252, TO-263 |
| LDO | SCJA1117 | 20 | 1,2, 1,8, 2,5, 3,3, 5,0, Adj | 1 | 10 | SOT-89 |
| SCJT1117 | SOT-223 | |||||
| CJA1117 | 1,8, 2,5, 3,3, 5,0, Adj | SOT-89 | ||||
| CJT1117 | SOT-223 | |||||
| CJU1117 | TO-252 | |||||
Ассортимент JSCJ насчитывает более десятка тысяч компонентов, что с большой вероятностью позволяет удовлетворить современные требования к элементной базе зарядных станций. Сотрудники компании КОМПЭЛ по запросу предоставят подробную информацию о возможности поставок полупроводниковой продукции JSCJ и ее применении.
Компания Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ) основана в 2018 году в китайском городе Нанкин как дочерняя структура известного контрактного изготовителя и тестировщика интегральных микросхем и дискретных полупроводников JCET.
Компания, входящая в десятку крупнейших производителей микроэлектроники Китая, выпускает более 15000 наименований полупроводниковой продукции: силовые дискретные изделия, а также стандартные микросхемы управления питанием, токового преобразования и выпрямления.
...читать далее
Наши информационные каналы