CJPF08N90M1

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220F-B Plastic-Encapsulate MOSFETS CJPF08N90M1 N-Channel Power MOSFET V(BR)DSS RDS(on)TYP ID 900V 1.0Ω@10V 8A TO-220F-B GENERAL DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode fast recovery tim...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220F-B
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220F-B Plastic-Encapsulate MOSFETS CJPF08N90M1 N-Channel Power MOSFET V(BR)DSS RDS(on)TYP ID 900V 1.0Ω@10V 8A TO-220F-B GENERAL DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode fast recovery time. Designed for high voltage, high speed switching applications such as power supplies, converters, power motor controls and bridge circuits. WE LL TE z MARKING 1 2 3 CH FEATURE High Current Rating z Low Gate Charge z Lower RDS(on) Low Reverse Transfer Capacitance z z Fast Switching Capability Tighter VSD Specifications z Avalanche Energy Specified z 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE EQUIVALENT CIRCUIT 08N90M1= Device code. Solid dot = Green molding compound device, if none, the normal device XXXX = Code MAXIMUM RATINGS ( TJ=25℃ unless otherwise noted ) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 900 V Gate-Source Voltage VGS ±30 V ID 8 A Continuous Drain Current Pulsed Drain Current IDM Single Pulsed Avalanche Energy Power Dissipation Thermal Resistance from Junction to Ambient Thermal Resistance from Junction to Case ①② 32 A EAS ③ 780 mJ PD ① 83 W RθJA ⑥ 62.5 ℃/W RθJC ① 1.5 ℃/W -55~+150 ℃ TJ ,Tstg Operating Junction and Storage Temperature Range www.jscj-elec.com ① 1 Rev. - 1.0 PDF
Документация на CJPF08N90M1 

Дата модификации: 01.01.1970

Размер: 3.98 Мб

5 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    18 июня 2024
    новость

    Зарядные станции электротранспорта на основе компонентов JSCJ

    Стремительный рост электротранспортной индустрии требует постоянного совершенствования зарядной инфраструктуры. Время зарядки аккумуляторов – очень важный фактор эффективности, ведь его скорость позволяет компенсировать ограниченный запас хода и... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)