Вход / Регистрация

FZT954

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-223(8R) Plastic-Encapsulate Transistors FZT954 TRANSISTOR (PNP) SOT-223 FEATURES   High Voltage Low saturation voltages 1. BASE 2. COLLECTOR MARKING: ZT954 1 2 3 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -140 V VCEO Collector-Emitter Voltage -100...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-223
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-223(8R) Plastic-Encapsulate Transistors FZT954 TRANSISTOR (PNP) SOT-223 FEATURES   High Voltage Low saturation voltages 1. BASE 2. COLLECTOR MARKING: ZT954 1 2 3 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -140 V VCEO Collector-Emitter Voltage -100 V VEBO Emitter-Base Voltage -7 V IC ICM Collector Current -5 A Collector Current -Pulsed -10 A PC Collector Power Dissipation 0.8 W Thermal Resistance From Junction To Ambient 156 ℃/W Tj Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature -55~+150 ℃ RθJA ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO Collector-emitter breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Test conditions Min Typ Max Unit IC=-0.1mA,IE=0 -140 V(BR)CEO IC=-1mA,IB=0 -100 V V(BR)EBO IE=-0.1mA,IC=0 -7 V Collector cut-off current ICBO VCB=-100V,IE=0 -20 nA Emitter cut-off current IEBO VEB=-6V,IC=0 -10 nA hFE(1) VCE=-1V, IC=-10mA 100 hFE(2) VCE=-1V, IC=-1A 100 hFE(3) VCE=-1V, IC=-3A 25 hFE(4) VCE=-1V, IC=-4A 15 hFE(5) VCE=-1V, IC=-10A DC current gain V 300 5 IC=-100mA,IB=-10mA Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) -30 mV IC=-1A,IB=-100mA -90 mV IC=-2A,IB=-200mA -150 mV IC=-4A,IB=-400mA - 340 mV Base-emitter saturation voltage VBE(sat) IC=-4A,IB=-400mA -1.1 V Base-emitter voltage VBE V CE=-1V, IC=-4A -1.1 V Transition frequency fT VCE=-10V,IC=-500mA, f=1MHz Collector output capacitance Cob VCB=-10V, IE=0, f=1MHz www.jscj-elec.com 1 3 MHz 70 pF Rev. - 2.0 PDF
Документация на FZT954 

Microsoft Word - CZT5401 SOT-223_A_.doc

Дата модификации: 19.05.2021

Размер: 1.44 Мб

4 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    18 июня 2024
    новость

    Зарядные станции электротранспорта на основе компонентов JSCJ

    Стремительный рост электротранспортной индустрии требует постоянного совершенствования зарядной инфраструктуры. Время зарядки аккумуляторов – очень важный фактор эффективности, ведь его скорость позволяет компенсировать ограниченный запас хода и... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-25 (YJ)