Быстрые IGBT SUNCO нового поколения для высокочастотного оборудования
16 мая
Ведущий китайский производитель дискретных силовых полупроводников компания SUNCO выпустила линейку быстрых дискретных IGBT-транзисторов с напряжением «коллектор-эмиттер» до 650 В. Компоненты нового поколения выполнены по технологии Micro trench, которая существенно снижает потери при преобразовании энергии.
Инженеры SUNCO усовершенствовали технологию формирования вертикального затвора (Trench) для IGBT-транзисторов, что заметно снизило уровень статических и динамических потерь и тем самым повысило эффективность работы силовых модулей. Постоянный ток коллектора дискретных IGBT технологии Micro Trench при Tc = 100°С составляет 50 А.
Уровень прочности таких транзисторов рассчитан для работы в устройствах с большой нагрузкой на компоненты. Максимальная температура использования Tjmax составляет 175°C, таким образом они имеют положительный температурный коэффициент, подходящий для параллельного применения.
В качестве примера IGBT технологии Micro Trench в таблице 1 приведены основные технические характеристики транзистора DGW50N65CTL0.
Таблица 1. Основные характеристики DGW50N65CTL0 производства SUNCO
| Параметр | Значение | |
|---|---|---|
| Предельно допустимое напряжение «коллектор-эмиттер» VCE, В | 650 | |
| Переходное напряжение «эмиттер-затвор» Vge, В | ±30 | |
| Типовое напряжение насыщения «коллектор-эмиттер» VCE(SAT) при IC = 50 A, В | 1,70 | |
| Ток коллектора Ic при Tc = 100°C, А | 50 | |
| Максимальная температура перехода Tjmax, °C | 175 | |
| Время включения td(on), нс | При Tj = 25°C | 20 |
| При Tj = 125°C | 19 | |
| При Tj = 150°C | 19 | |
| Время выключения td(off), нс | При Tj = 25°C | 131 |
| При Tj = 125°C | 139 | |
| При Tj = 150°C | 142 | |
| Время нарастания tr, нс | При Tj = 25°C | 67 |
| При Tj = 125°C | 65 | |
| При Tj = 150°C | 63 | |
| Заряд затвора Qg, нКл | 250 | |
| Импульсный ток диода IFpuls, А |
200 |
|
Такие параметры IGBT позволяют использовать их в устройствах с высоким уровнем коммутационных потерь, где мощность и теплоотдача являются основными параметрами выбора силового компонента. Это делает новинку SUNCO идеальным решением при проектировании силовых устройств в системе преобразования энергии, требующих высокой частоты коммутации. Например, транзистор DGW50N65CTL0 является идеальным решением для зарядных станций электротранспорта, солнечных фотоэлектрических инверторов и других альтернативных источников электроэнергии, а также для ИБП высокого уровня надежности.
Новые IGBT выполнены в корпусе TO-247 (рисунок 1), что значительно упрощает процесс монтажа и позволяет использовать их в качестве замены аналогичных компонентов других производителей.
Рис. 1. Транзистор DGW50N65CTL0 в корпусе TO-247: а) внешний вид; б) схема
Вся продукция компании SUNCO соответствует международным экологическим требованиям для электроники, включая стандарт RoHS (ЕС), и при этом отличается адекватной стоимостью.
Компания SUNCO – крупнейший IDM-производитель (т.е. компания полного цикла) Китая, ведущий в стране изготовитель дискретных силовых полупроводников.
Компания основана в 2000 году в городе Янчжоу, провинция Цзяньсу. Первыми изделиями, с которыми компания вышла на рынок полупроводников, стали силовые диоды и мостовые выпрямители. Неуклонно расширяя и технологически совершенствуя производство, компания объединила под своим крылом все его стадии – от производства кремниевых пластин до изготовления ...читать далее
Наши информационные каналы