Вход / Регистрация

DGW40N120CTH0D

SUNCO
DGW40N120CTH0D RoHS COMPLIANT IGBT Discrete VCE 1200 V IC 40 A VCE(SAT) IC=40A 2.00 V \ Applications Circuit     High frequency switching application Resonant converters Uninterruptible power supply Welding converters  Features     High breakdown voltage to 1200V for improved reliability Maximum junction temperature 175℃ Positive temperature coefficient Including fast...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
  • Корпус: TO-247-3
  • Норма упаковки: 360  шт. (в линейках)

Файлы 1

показать свернуть
DGW40N120CTH0D RoHS COMPLIANT IGBT Discrete VCE 1200 V IC 40 A VCE(SAT) IC=40A 2.00 V \ Applications Circuit     High frequency switching application Resonant converters Uninterruptible power supply Welding converters  Features     High breakdown voltage to 1200V for improved reliability Maximum junction temperature 175℃ Positive temperature coefficient Including fast & soft recovery anti-parallel FWD Maximum Ratings Parameter Symbol Collector-Emitter Breakdown Voltage VCE DC Collector Current, limited by Tjmax TC= 25°C TC= 100°C Diode Forward Current, limited by Tjmax TC= 25°C TC= 100°C Continuous Gate-Emitter Voltage Transient Gate-Emitter Voltage Value Unit 1200 V IC 80 40 A IF 80 40 A VGE ±20 V VGE ±30 V 160 A (tp≤10µs,D<0.010) Turn off Safe Operating Area VCE≤1200V, Tj≤ 150°C Pulsed Collector Current, VGE=15V, tp limited by Tjmax ICM 160 A Diode Pulsed Current, tp limited by Tjmax IFpuls 160 A Tsc 10 μs Ptot 500 W Short Circuit Withstand Time, VGE= 15V, VCC=600V，VCEM≤1200V Power Dissipation , Tj=175°C，Tc=25°C S-M366D Rev.1.2, 21-Oct-23 www.21yangjie.com 1 PDF
Документация на DGW40N120CTH0D 

Microsoft Word - MDS60E-SMSC.doc

Дата модификации: 09.07.2024

Размер: 1023.9 Кб

11 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    16 мая 2024
    новость

    Быстрые IGBT SUNCO нового поколения для высокочастотного оборудования

    Ведущий китайский производитель дискретных силовых полупроводников компания SUNCO выпустила линейку быстрых дискретных IGBT–транзисторов с напряжением «коллектор–эмиттер» до 650 В. Компоненты нового поколения выполнены по технологии... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.