DGW20N65CTL0

SUNCO
DGW20N65CTL0 RoHS COMPLIANT IGBT Discrete VCE 650 V IC 20 A VCE(SAT) IC=20A 1.60 V Applications Circuit    Soft switching applications Air conditioning Motor drive inverter Features     High speed smooth switching device for hard & soft switching Maximum junction temperature 175℃ Positive temperature coefficient High ruggedness, temperature stable Maximum Ratings Pa...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
  • Корпус: —

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Карточка
товара
P= CGWT40N65F2KAD (JSCJ)
 
TO-247-3
 
P= DGW60N65BTH (YJ)
 
—
P= NCE30TD60BT (NCE)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
P= CRG30T60AK3HD (CRMICRO)
 
TO-247-3
 
P= DG20X06T2 (STARPWR)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
 
P= DG30X07T2 (STARPWR)
 
TO-247-3
 
P= SGT20T60SDM1P7 (SILAN)
 
TO2473
 

Файлы 1

показать свернуть
DGW20N65CTL0 RoHS COMPLIANT IGBT Discrete VCE 650 V IC 20 A VCE(SAT) IC=20A 1.60 V Applications Circuit    Soft switching applications Air conditioning Motor drive inverter Features     High speed smooth switching device for hard & soft switching Maximum junction temperature 175℃ Positive temperature coefficient High ruggedness, temperature stable Maximum Ratings Parameter Collector-Emitter Breakdown Voltage DC Collector Current, limited by Tjmax TC= 25°C TC= 100°C Diode Forward Current, limited by Tjmax TC= 25°C TC= 100°C Continuous Gate-Emitter Voltage Transient Gate-Emitter Voltage Symbol Value Unit VCE 650 V IC 40 20 A IF 40 20 A VGE ±20 V VGE ±30 V 60 A A (tp≤10µs,D<0.010) Turn off Safe Operating Area VCE≤600V, Tj≤ 150°C Pulsed Collector Current, VGE=15V, tp limited by Tjmax ICM 60 Short Circuit Withstand Time, VGE= 15V, VCE≤ 400V Tsc 5 Diode Pulsed Current, tp limited by Tjmax IFpuls 60 A Power Dissipation , Tj=175°C,Tc=25°C Ptot 120 W μs 1 S-M360D Rev.1.1, 5-May-23 www.22yangjie.com PDF
Документация на DGW20N65CTL0 

Microsoft Word - MDS60E-SMSC.doc

Дата модификации: 24.05.2023

Размер: 560.4 Кб

8 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    16 мая 2024
    новость

    Быстрые IGBT SUNCO нового поколения для высокочастотного оборудования

    Ведущий китайский производитель дискретных силовых полупроводников компания SUNCO выпустила линейку быстрых дискретных IGBT–транзисторов с напряжением «коллектор–эмиттер» до 650 В. Компоненты нового поколения выполнены по технологии... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.