NTD4804NT4G

UMW
UMW R NTD4804N 30V N-Channel MOSFET Description • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low Capacitance to Minimize Driver Losses • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant • CPU Power Delivery • DC−DC Converters • Low Side Switching D G S Features VDS (V) = 30V ID = 117A (VGS = 10V) RDS(ON) < 4mΩ (VGS = 10V) RDS(ON) &l...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-252-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 20

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJD120N04A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт — —
A+ CJAC140SN04 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ WMK180N03TS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — —
A+ JMSH0402AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMSH0401AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMGG020V04A (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 2500 шт
 
 — — — —
A+ CJAC200SN04 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJAC150N03A (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJAC150N03 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJAC130SN04L (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJP180N03 (JSCJ)
 
TO2203L
 
 ± — — — — —
A+ WMB018N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ CJAC130SN04 (JSCJ)
 
—
 
 — — — — —
A+ WMB31430DN (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
 — — — — — —
A+ YJG200G04AR (YJ)
 
— 1 шт
 
 — —
A+ YJG150N03A (YJ)
 
— 5000 шт
 
 — —
A+ YJD180N03A (YJ)
 
TO252 2500 шт — —
A+ JMTC035N04A (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
 — — — —
A+ CJP140N04 (JSCJ)
 
TO-220-3 1000 шт
 
 — — — — — —
A+ JMSH0403BGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
UMW R NTD4804N 30V N-Channel MOSFET Description • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low Capacitance to Minimize Driver Losses • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant • CPU Power Delivery • DC−DC Converters • Low Side Switching D G S Features VDS (V) = 30V ID = 117A (VGS = 10V) RDS(ON) < 4mΩ (VGS = 10V) RDS(ON) < 5.5mΩ (VGS = 4.5V) MAXIMUM RATINGS (TJ = 25°C unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit Drain−to−Source Voltage VDSS 30 V Gate−to−Source Voltage VGS "20 V ID 19.6 A TA = 25°C Continuous Drain Current (RqJA) (Note 1) (RqJA) (Note 1) Power Dissipation Continuous Drain TA = 85°C Current (RqJA) (Note 2) (RqJA) (Note 2) Continuous Drain Current (RqJC) (Note 1) Power Dissipation PD 2.66 W TA = 25°C ID 14.5 A TA = 25°C PD 1.43 W TC = 25°C ID 124 A 11 96 TC = 85°C (RqJC) (Note 1) Pulsed Drain Current TA = 25°C TA = 85°C Steady State Power Dissipation 15.2 tp=10ms Current Limited by Package TC = 25°C PD 107 W TA = 25°C IDM 230 A TA = 25°C I DmaxPkg 45 A TJ, Tstg −55 to 175 °C Operating Junction and Storage Temperature Source Current (Body Diode) IS 78 A Drain to Source dV/dt dV/dt 6.0 V/ns Single Pulse Drain−to−Source Avalanche Energy (VDD = 24 V, VGS = 10 V, L = 1.0 mH, IL(pk) = 30 A, RG = 25 W) EAS 450 mJ Lead Temperature for Soldering Purposes (1/8″ from case for 10 s) TL 260 °C Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be assumed, damage may occur and reliability may be affected. www.umw-ic.com 1 UTD Semiconductor Co.,Limited PDF
Документация на NTD4804NT4G 

UMW NTD4804NT4G

Дата модификации: 02.09.2022

Размер: 369.7 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)