IRF4905STRL

UMW
UMW R IRF4905 -60V P-Channel MOSFET Description Features of this design are a 150°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of other applications. Features O VDS (V) = -60V O ID = -42A (VGS = -10V) O RDS(ON) < 20mΩ (V...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
  • Группа: FET транзисторы  
  • Истор. имя: IRF4905STRL (INFIN)
  • Корпус: TO252
  • Норма упаковки: 800  шт. (в ленте)

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= IRF4905S (EVVO)
 

IRF4905S (INFIN) 		TO263 в ленте 800 шт
 
 — — — — — —
P- YJD50GP06A (YJ)
 
TO252 в ленте 20000 шт
 
 — — — — — — —
P- NCE60P82A (NCE)
 
TO-220-3
 
 ± — — — —
P- NCE60P82AD (NCE)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 ± — — — —

Файлы 1

показать свернуть
UMW R IRF4905 -60V P-Channel MOSFET Description Features of this design are a 150°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of other applications. Features O VDS (V) = -60V O ID = -42A (VGS = -10V) O RDS(ON) < 20mΩ (VGS = -10V) O O O O O O D Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance 150°C Operating Temperature Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Some Parameters Are Differrent from IRF4905S G S Absolute Maximum Ratings Max. Parameter ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) -70 ID @ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) -44 ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited) -42 IDM A -280 Pulsed Drain Current 1. 170 W Linear Derating Factor 1.3 W/°C Gate-to-Source Voltage ± 20 V 140 mJ PD @TC = 25°C Power Dissipation VGS Units EAS (Thermally limited) Single Pulse Avalanche Energy2. EAS (Tested ) Single Pulse Avalanche Energy Tested Value 6. IAR Avalanche Current EAR Repetitive Avalanche Energy 5. TJ Operating Junction and TSTG Storage Temperature Range  790 See Fig.12a, 12b, 15, 16 1. A mJ -55 to + 150 °C 300 (1.6mm from case ) Soldering Temperature, for 10 seconds y y 10 lbf in (1.1N m) Mounting Torque, 6-32 or M3 screw 7. Thermal Resistance Parameter Typ. Max. RθJC Junction-to-Case 8. 0.75 RθJA Junction-to-Ambient (PCB Mount, steady state) 7.8. 40 www.umw-ic.com 1 Units UTD Semiconductor Co.,Limited PDF
Документация на IRF4905STRL 

UMW IRF4905STRL

Дата модификации: 11.08.2023

Размер: 564.3 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)