WMS13N06T1
WMS13N06T1
60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
D
Description
D
D
WMS13N06T1 uses advanced power trench technology that has
D
been especially tailored to minimize the on-state resistance and
S
yet maintain superior switching performance.
S
S
Features
⚫
G
SOP-8L
VDS= 60V, ID = 13A
RDS(on) < 8.5mΩ @ VGS = 10V
RDS(on) < 12mΩ @ VGS = 4.5V
⚫
Low RDS(on)
⚫
Low Gate Charge...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: SOP8L
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SOP8L | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Максимальное напряжение затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 4
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | WMS076N06LG2 (WAYON) | SOP8L | в ленте 4000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | YJS12G06D (YJ) | SO-8 SOIC8 | 4000 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | CJQ18SN06 (JSCJ) | SO-8 SOIC8 |
| ± | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | NCE6012AS (NCE) | SO-8 SOIC8 |
| ± | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMS13N06T1
Shang Hai Wayon Thermo-Electro
Дата модификации: 29.11.2022
Размер: 669.9 Кб
6 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.