WMS13N06T1

WAYON
WMS13N06T1 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D Description D D WMS13N06T1 uses advanced power trench technology that has D been especially tailored to minimize the on-state resistance and S yet maintain superior switching performance. S S Features ⚫ G SOP-8L VDS= 60V, ID = 13A RDS(on) < 8.5mΩ @ VGS = 10V RDS(on) < 12mΩ @ VGS = 4.5V ⚫ Low RDS(on) ⚫ Low Gate Charge...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOP8L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMS076N06LG2 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
A+ YJS12G06D (YJ)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 
 — —
A+ CJQ18SN06 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 ± — — — — —
A+ NCE6012AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ± — — — —

Файлы 1

показать свернуть
WMS13N06T1 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D Description D D WMS13N06T1 uses advanced power trench technology that has D been especially tailored to minimize the on-state resistance and S yet maintain superior switching performance. S S Features ⚫ G SOP-8L VDS= 60V, ID = 13A RDS(on) < 8.5mΩ @ VGS = 10V RDS(on) < 12mΩ @ VGS = 4.5V ⚫ Low RDS(on) ⚫ Low Gate Charge ⚫ 100% EAS Guaranteed D RoHS compliant G Applications ⚫ ⚫ Power Management Switches Synchronous Rectification for AC/DC Quick Charger S Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V 13 TA=25℃ 1 Continuous Drain Current@10V ID Pulsed Drain Current2 A 8 TA=100℃ IDM 60 A EAS 80 mJ IAS 40 A PD 2.7 W TJ, TSTG -55 to+150 °C Symbol Value Unit Thermal Resistance from Junction-to-Ambient1 (t≤10S) RθJA 45 °C/W Thermal Resistance from Junction-to-Ambient1 RθJA 80 °C/W Single Pulse Avalanche Energy3 Avalanche Current Total Power Dissipation4 TA=25℃ Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristics Parameter Rev.2.0, 2019 Doc:W0803156 1 / 6 PDF
Документация на WMS13N06T1 

Shang Hai Wayon Thermo-Electro

Дата модификации: 29.11.2022

Размер: 669.9 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)