CJQ18SN06

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJQ18SN06 N-Channel Power MOSFET V(BR)DSS ID RDS(on)TYP 5.5mΩ@10V 60 V SOP8 18A 7.0mΩ@4.5V DESCRIPTION The CJQ18SN06 uses shielded gate trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications APPLICATIONS z High side switch in S...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ LN7460DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ LN7462DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
A+ LN7506DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ LNB8462DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
A+ LNB85042DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
±
A+ LNB8512DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
±

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.