Вход / Регистрация

HGE090N06A

CR Micro
Silicon N-Channel Power MOSFET R ○ HGE090N06A General Description ： VDSS 60 V HGE090N06A, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, ID 14 A is obtained by the high density Trench technology which reduce P D(Ta=25℃) 3.1 W the conduction loss, improve switching performance and enhance RDS(ON) Typ@Vgs=10V 8.5 mΩ the avalanche energy. The transistor can be used in various power ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOP-8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 14

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMS076N06LG2 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
A+ LNB8512DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
 ± — — — — — —
A+ LNB8510DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
 ± — — — — — —
A+ LNB85042DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
 ± — — — — — —
A+ LNB8462DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
 — — — — — —
A+ LN7506DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
 ± — — — — — —
A+ LN75042DT3WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
 ± — — — — — —
A+ LN7466DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
 ± — — — — — —
A+ LN7460DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
 ± — — — — — —
A+ LN4506T1G (LRC)
 
SOP-8
 
 ± — — — — — —
A+ LN4264T1G (LRC)
 
SOP-8
 
 ± — — — — — —
A+ CRTE120N06L (CRMICRO)
 
SOP-8
 
 — — —
A+ CJQ18SN06 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 ± — — — — —
A+ LNB88075DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
 ± — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
Silicon N-Channel Power MOSFET R ○ HGE090N06A General Description ： VDSS 60 V HGE090N06A, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, ID 14 A is obtained by the high density Trench technology which reduce P D(Ta=25℃) 3.1 W the conduction loss, improve switching performance and enhance RDS(ON) Typ@Vgs=10V 8.5 mΩ the avalanche energy. The transistor can be used in various power RDS(ON) Typ@Vgs=4.5V 11 mΩ switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. The package form is SOP8, which accords with the RoHS standard. Features：  Fast Switching  Low ON Resistance  Low Gate Charge  Low Reverse transfer capacitances  100% Single Pulse avalanche energy Test  Halogen Free Applications：  Power switch circuit of adaptor and charger.  Synchronus Rectification in DC/DC Converters Absolute（TA= 25℃ unless otherwise specified）： Symbol Parameter VDSS Rating Units Drain-to-Source Voltage 60 V Continuous Drain Current 14 A Continuous Drain Current TA = 100 °C 9.6 A Pulsed Drain Current 56 A Gate-to-Source Voltage ±20 V Single Pulse Avalanche Energy 145 mJ PD Power Dissipation 3.1 W TJ，Tstg Operating Junction and Storage Temperature Range 150，–55 to 150 ℃ ID a1 IDM VGS EAS a2 W U X I C H I N A R E S O U R C E S H U A J I N G M I C R O E L E C T R O N I C S C O . , LT D . P ag e 1 of 10 2 0 1 9 V0 1 PDF
Документация на HGE090N06A 

产品特点：

Дата модификации: 04.04.2019

Размер: 788.8 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)