WMS076N06LG2

WAYON
WMS076N06LG2 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D1 Description D1 D2 D2 WMS076N06LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state S1 resistance and yet maintain superior switching performance. This G1 S2 G2 device is well suited for high efficiency fast switching applications. SOP-8L Features ⚫ VDS= 60...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид WM03DH60A
Внешний вид WM03DH60A
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOP8L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= WMS048NV6LG4 (WAYON)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —
A+ CJQ18SN06 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 ± — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
WMS076N06LG2 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D1 Description D1 D2 D2 WMS076N06LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state S1 resistance and yet maintain superior switching performance. This G1 S2 G2 device is well suited for high efficiency fast switching applications. SOP-8L Features ⚫ VDS= 60V, ID = 16A RDS(on) < 7.6mΩ @ VGS = 10V RDS(on) < 11.8mΩ @ VGS = 4.5V ⚫ Green Device Available ⚫ Low Gate Charge ⚫ 100% EAS Guaranteed D RoHS compliant Applications G ⚫ Synchronous Rectification ⚫ DC/DC Converter S Absolute Maximum Ratings (TA= 25°C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V TA=25°C 16 Continuous Drain Current ID TA=100°C Pulsed Drain Current1 IDM 64 A EAS 145.8 mJ PD 3.1 W TJ, TSTG -55 to 150 °C Symbol Value Unit RθJA 40 °C/W Single Pulse Avalanche Energy2 Total Power Dissipation TA=25°C Operating Junction and Storage Temperature Range A 10 Thermal Characteristics Parameter Thermal Resistance from Junction-to-Ambient3 Rev.1.0, 2021 Doc:W0803583 1 / 7 PDF
Документация на WMS076N06LG2 

Shang Hai Wayon Thermo-Electro

Дата модификации: 04.01.2023

Размер: 441.3 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)