CJQ12SN06
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS
CJQ12SN06
N-Channel Power MOSFET
V(BR)DSS
RDS(on)TYP
ID
11mΩ@10V
60
SOP8
12A
14mΩ@4.5V
DESCRIPTION
The CJQ12SN06 uses shielded gate trench technology and
design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can
be used in a wide variety of applications
APPLICATIONS
z
High side switch in SMPS
...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: SO-8 SOIC8
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SO-8 SOIC8 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
Примечание |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 6
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | WMS076N06LG2 (WAYON) | SOP8L | в ленте 4000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | CJQ14SN06 (JSCJ) | SO-8 SOIC8 | в ленте 4000 шт |
| ± | — | — | — | — | — | |||||||
A+ | YJS12G06D (YJ) | SO-8 SOIC8 | 4000 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | CJQ18SN06 (JSCJ) | SO-8 SOIC8 |
| ± | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | NCE6012AS (NCE) | SO-8 SOIC8 |
| ± | — | — | — | — | |||||||||
A+ | UTM6016G-SO8-R (UTC) | SOP-8 | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на CJQ12SN06
Microsoft Word - CJQ4406 SOP8 A-1.doc
Дата модификации: 22.08.2020
Размер: 3.14 Мб
5 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.