CJQ12SN06

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJQ12SN06 N-Channel Power MOSFET V(BR)DSS RDS(on)TYP ID 11mΩ@10V 60 SOP8 12A 14mΩ@4.5V DESCRIPTION The CJQ12SN06 uses shielded gate trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications APPLICATIONS z High side switch in SMPS ...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид CJAB35N03S

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMS076N06LG2 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
A+ CJQ14SN06 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ± — — — — —
A+ YJS12G06D (YJ)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 
 — —
A+ CJQ18SN06 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 ± — — — — —
A+ NCE6012AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ± — — — —
A+ UTM6016G-SO8-R (UTC)
 
SOP-8
 
 — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJQ12SN06 N-Channel Power MOSFET V(BR)DSS RDS(on)TYP ID 11mΩ@10V 60 SOP8 12A 14mΩ@4.5V DESCRIPTION The CJQ12SN06 uses shielded gate trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications APPLICATIONS z High side switch in SMPS z Load Switch MARKING Equivalent Circuit D . Q12SN06 XX 8 Q12SN06= Device code Solid dot=Pin1 indicator Solid dot = Green molding compound device, if none, the normal device XX=Date Code 7 D 2 1 S S 6 D 3 5 D 4 S G MAXIMUM RATINGS ( Ta=25℃ unless otherwise noted ) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Continuous Drain Current ID 12 A Pulsed Drain Current IDM 40 A 22 mJ PD 1.4 W RθJA 89 ℃/W Junction Temperature TJ 150 ℃ Storage Temperature Range Tstg -55 ~+150 ℃ Lead Temperature for Soldering Purposes(1/8’’ from case for 10s) TL 260 ℃ Single Pulsed Avalanche Energy EAS Power Dissipation Thermal Resistance from Junction to Ambient (1) (1).EAS condition: VDD=20V,L=0.4mH, RG=25Ω, Starting TJ = 25°C www.jscj-elec.com 1 Rev. - 1.1 PDF
Документация на CJQ12SN06 

Microsoft Word - CJQ4406 SOP8 A-1.doc

Дата модификации: 22.08.2020

Размер: 3.14 Мб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)