WMQ55N04T1

WMQ55N04T1 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMQ55N04T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and D D D D D D D yet maintain superior switching performance. S S G G Features S ⚫ PDFN3030-8L VDS= 40V, ID = 55A D S RDS(on) < 6.6mΩ @ VGS = 10V RDS(on) < 8.8mΩ @ VGS = 4.5V ⚫ Low Gate ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN8L3X3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 13

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJD60N04A (YJ)
 
TO252 в ленте 5000 шт Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 40V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
A+ WMO75N04T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ CJU110SN04 (JSCJ)
 
TO2522L
 
A+ CJAC110SN04 (JSCJ)
 
 
A+ YJG60N04A (YJ)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
A+ CJAC90N04 (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAB65N04 (JSCJ)
 
±
A+ WMQ050N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3
 
A+ YJG100N04A (YJ)
 
PDFN568 в ленте 5000 шт
 
A+ IRF1404 (YOUTAI)
 

IRF1404 (INFIN)
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMB70N04T1 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMB032N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMQ032N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.