WMB090N04LG2
WMB090N04LG2
40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
nd
WMB090N04LG2 uses Wayon's 2 generation power trench MOSFET
D
D
D
D
D
technology that has been especially tailored to minimize the on-state
s
ss
resistance and yet maintain superior switching performance. This
D
DD
G
G
ss
device is well suited for high efficiency fast switching applications.
PDFN5060-8L
Feature...
развернуть ▼ свернуть ▲ 
- Группа: FET транзисторы
- Корпус: PDFN8L5X6
- Норма упаковки: 3000 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | PDFN8L5X6 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Максимальное напряжение затвора |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 22
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | YJG60G04HHQ (YJ) | PDFN8L5X6 | в ленте 30 шт |  |  |  |  |  | — | — |  |  | — |  | — | ||
| A+ | YJG60N04A (YJ) | PDFN8L5X6 | в ленте 5000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  |  | — |  | — | ||
| A+ | TQM043NH04CR RLG (TSC) | PDFN568 | 2500 шт |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  |  | — | ||
| A+ | TQM032NH04LCR RLG (TSC) | PDFN568 | 2500 шт |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  |  | — | ||
| A+ | TQM032NH04CR RLG (TSC) | PDFN568 | 2500 шт |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  |  | — | ||
| A+ | TQM025NH04LCR RLG (TSC) | PDFN568 | 2500 шт |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  |  | — | ||
| A+ | CJAC90N04 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | CJAB65N04 (JSCJ) | — |
|  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | ||
| A+ | WMQ55N04T1 (WAYON) | PDFN8L3X3 |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | |||
| A+ | WMQ050N04LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | |||
| A+ | YJG100N04A (YJ) | PDFN568 | в ленте 5000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | YJD60N04A (YJ) | TO252 | в ленте 5000 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 40V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 |  | — | |
| A+ | IRF1404 (YOUTAI) IRF1404 (INFIN) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт |  |  |  |  |  | — |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | WMB70N04T1 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | WMB56N04T1 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | WMB032N04LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMQ50N04T1 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | WMQ032N04LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMO75N04T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | WMO60N04T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | WMK80N04T1 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 50 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | TQM043NH04LCR RLG (TSC) | PDFN568 | 2500 шт |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  |  | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMB090N04LG2
Shang Hai Wayon Thermo-Electro
Дата модификации: 07.03.2022
Размер: 476.3 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.