WM02N28M

Document: W0803348, Rev: B WM02N28M M N-Channel MOSFET Features ⚫ VDS= 20V, ID = 2.8A RDS(on) < 60mΩ @ VGS = 4.5V RDS(on) <100mΩ @ VGS = 2.5V ⚫ Low Gate Charge ⚫ Trench Power LV MOSFET Technology Mechanical Characteristics ⚫ SOT-23 Package ⚫ Marking : Making Code ⚫ RoHS Compliant Schematic & PIN Configuration D G D G S S SOT-23(Top View) Device symbol Absolute Maximum...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 37

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= IRLML2402TRPBF-VB (VBSEMI)
 
в ленте 2000 шт
 
P= WM02N50M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= WM02N31M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- CJ3420 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 5 шт
 
±
P- NCE2302 (NCE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
±
P- IRLML2502 (YOUTAI)
 

IRLML2502 (INFIN)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
±
P- NCE2304 (NCE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
±
P- YJL2312A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- IRLML2402 (YOUTAI)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- CJ8810 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
±
P- IRLML6244TR (YOUTAI)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- YJL2300A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- YJL2302A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- NCE2312A (NCE)
 
SOT-23-3
 
±
P- JMTL2302B (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- JMTL2312A (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- JMTL3134K (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- IRLML6246TR (YOUTAI)
 
в ленте 3000 шт
 
P- CRTJ550N02U2-G (CRMICRO)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- CJ3134K (JSCJ)
 
в ленте 8000 шт
A+ YJJ12N02A (YJ)
 
в ленте 6000 шт
 
A+ MTM78E2B0LBF (PAN)
 
WSON-8 1 шт
 
Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ CJA9452 (JSCJ)
 
SOT893L
 
±
A+ CJ2312 SOT-23 (JSCJ)
 
 
A+ CJ2312 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ AO3414A (YOUTAI)
 
SOT-23-3 180 шт
 
A+ SI2302A (YOUTAI)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
±
A+ WM02DN48A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 3000 шт
A+ WM02DN50M3 (WAYON)
 
SOT236
 
A+ WM02DN48M3 (WAYON)
 
SOT236 65 шт
 
A+ WM4C62160A (WAYON)
 
 
A+ FK6K02010L (PAN)
 
WSMini6-F1-B
 
Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ IRLML6246TRPBF-VB (VBSEMI)
 

IRLML6246TRPBF (VBSEMI)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ IRLML2502TRPBF-VB (VBSEMI)
 

IRLML2502TRPBF (VBSEMI)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ IRLML6246 (KLS)
 
1 шт
 
A+ YJL2302B (YJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
A+ BLM2302 (CN BELL)
 
SOT-23-3
 
N-Channel Trench MOSFET, SOT23, 20 V, 2,9 A, 0,03 Ohm High Power and current handing capability, Lead free product is acquired, Surface Mount Package, Battery protection, Load switch, Power management

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.