BLM2302
Pb Free Product
BLM2302
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
DESCRIPTION
D
The BLM2302 uses advanced trench technology to provide
excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate
G
voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a
Battery protection or in other Switching application.
S
GENERAL FEATURES
Schematic diagram
● VDS = 20V,ID = 2.9A
3
RDS(ON) < 59...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Серия: BLM2302
- Корпус: SOT-23-3
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SOT-23-3 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Примечание | N-Channel Trench MOSFET, SOT23, 20 V, 2,9 A, 0,03 Ohm | |
Ёмкость затвора | ||
Особенности: High Power and current handing capability, Lead free product is acquired, Surface Mount Package, Battery protection, Load switch, Power management |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 22
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | YJJ12N02A (YJ) | — | в ленте 6000 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | CJ2312 (JSCJ) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | YJL2302A (YJ) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | NCE2312A (NCE) | SOT-23-3 | ± | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | NCE2312 (NCE) | SOT-23-3 | 70 шт | ± | — | — | — | — | |||||||||
A+ | JMTL3416KS (JIEJIE) | SOT-23-3 | 3000 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | JMTL2302C (JIEJIE) | SOT-23-3 | 3000 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | MTM78E2B0LBF (PAN) | WSON-8 | 1 шт | — | — | — | Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — | ||||||||
A+ | FK6K02010L (PAN) | WSMini6-F1-B | — | Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | ||||||||||||
A+ | CJ2312 SOT-23 (JSCJ) | — | — | — | — | ||||||||||||
A+ | YJL2300A (YJ) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | CJA9452 (JSCJ) | SOT893L | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | AO3414A (YOUTAI) | SOT-23-3 | 180 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | WM4C62160A (WAYON) | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WM02DN50M3 (WAYON) | SOT236 | — | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | WM02DN48M3 (WAYON) | SOT236 | 65 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | NCE2302 (NCE) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт | ± | — | — | — | — | |||||||||
A+ | IRLML6246 (KLS) | — | 1 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | WM02N50M (WAYON) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WM02N31M (WAYON) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WM02DN48A (WAYON) | SOP8L | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | AS2300 (ANBON) | SOT-23-3 | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.