WM02DN50M3
Document: W0803132, Rev: D
WM02DN50M3
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Description
V(BR)DSS(V)
WM02DN50M3 uses advanced power trench
technology that has been especially tailored to
minimize the on-state resistance This device is
suitable for un-directional or bidirectional load switch,
facilitated by its common-drain configuration
27 @VGS=4.5V
20
5
35 @VGS=2.5V
Features
Applications...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: SOT236
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SOT236 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 24
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | YJJ08N02A (YJ) | SOT236 | в ленте 3000 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | WM02DN095C (WAYON) | DFN62X3 | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WM02N50M (WAYON) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | CJ8820 (JSCJ) | SOT-23-3 | 3000 шт | ± | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | CJ8810 (JSCJ) | SOT-23-3 | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | CJ3420 (JSCJ) | SOT-23-3 | в ленте 5 шт | ± | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | CJK8804 (JSCJ) | SOT233L | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | WM02N75M2 (WAYON) | SOT233L | 1 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WM02DN70M3 (WAYON) | SOT236 | — | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | WM02DN70A (WAYON) | TSSOP-8 |
| — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WM02DN60M3 (WAYON) | SOT236 | — | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | YJL2312A (YJ) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт | — | |||||||||||||
A+ | WM02DN080C (WAYON) | DFN62X3 | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WM02DN085C (WAYON) | DFN62X3 | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WM4C62160A (WAYON) | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | YJS10N02A (YJ) | SO-8 SOIC8 | — | — | |||||||||||||
A+ | YJL3416A (YJ) | — | 20 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | YJL2312AQ (YJ) | — | — | — | |||||||||||||
A+ | YJL2312AL (YJ) | — | в ленте 3000 шт | — | |||||||||||||
A+ | JMTL2312A (JIEJIE) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | IRLML6244TR (YOUTAI) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMR09N02T1 (WAYON) | DFN62X2 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
A+ | WM02N70M (WAYON) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | FK6K02010L (PAN) | WSMini6-F1-B | — | Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — |
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.