SI2302A
UMW
R
UMW SI2302A
N-Channel Enhancement MOSFET
■ Features
SOT–23
● VDS=20V
● RDS(on)= 45mΩ@VGS=4.5V ,ID=3.6A
● RDS(on)= 60mΩ@VGS=2.5V ,ID=3.1A
1. GATE
2. SOURCE
G
1
S
2
3. DRAIN
3
D
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter
Symbol
Rating
Drain-Source Voltage
VDS
20
Gate-Source Voltage
VGS
±8
Continuous Drain Current
*1
Ta=25℃
ID
Ta=70℃
Pulsed Drain Current
Power Dis...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: SOT-23-3
- Норма упаковки: 3000 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | SOT-23-3 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
| Максимальное напряжение затвора |  | |
| Заряд затвора |  | |
| Рассеиваемая мощность |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 1
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| F~ | SI2302DS-T1-GE3 (VBSEMI) | — | 3000 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.