NCEP1545AK

NCEP1545AK http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP1545AK uses Super Trench technology that is General Features ●VDS =150V,ID =45A uniquely optimized to provide the most efficient high RDS(ON)=26mΩ (typical) @ VGS=10V frequency switching performance. Both conduction and RDS(ON)=30mΩ (typical) @ VGS=4.5V switching power losses are minimized due...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 19

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMK340N20HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMM340N20HG2 (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ NCEP1580D (NCE)
 
TO263
 
±
A+ NCEP1570GU (NCE)
 
 
±
A+ NCEP1545K (NCE)
 
TO252 100 шт
 
±
A+ NCEP1545G (NCE)
 
 
±
A+ JMSH1509AG-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ WMM115N15HG2 (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ YJG75G15H (YJ)
 
 
A+ CJAC70SN15 (JSCJ)
 
 
±
A+ YJG55G15H (YJ)
 
PDFN8L5X6
 
A+ NCEP1580 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
±
A+ NCEP0260 (NCE)
 
TO2203L в линейках 1000 шт
 
A+ JMSH1509AC-U (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
A+ WMK198N15HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMK115N15HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMB198N15HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMB115N15HGD (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ NCEP1580GU (NCE)
 
 
±

Файлы 1

показать свернуть
NCEP1545AK http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP1545AK uses Super Trench technology that is General Features ●VDS =150V,ID =45A uniquely optimized to provide the most efficient high RDS(ON)=26mΩ (typical) @ VGS=10V frequency switching performance. Both conduction and RDS(ON)=30mΩ (typical) @ VGS=4.5V switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. Application ●DC/DC Converter ●Ideal for high-frequency switching and ●Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) ●Very low on-resistance RDS(on) ●175 °C operating temperature ● Pb-free lead plating 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! synchronous rectification TO-252 Schematic Diagram Top View Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCEP1545AK NCEP1545AK TO-252-2L - - - Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 150 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 45 A ID (100℃) 31.8 A Pulsed Drain Current IDM 180 A Maximum Power Dissipation PD 130 W 0.88 W/℃ EAS 100 mJ TJ,TSTG -55 To 175 ℃ RθJC 1.15 ℃/W Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note1) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Résistance, Junction-to-Case Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V1.0 PDF
Документация на NCEP1545AK 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 28.02.2023

Размер: 741.6 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.