Вход / Регистрация

YJG55G15H

SUNCO
RoHS YJG55G15H COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=6V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 150V 55A ＜19mΩ ＜23mΩ General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Low RDS(on) & FOM ● Excellent stability and uniformity ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammabil...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN8L5X6
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 30

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- WMO175N10HG4 (WAYON)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —
P- CJQ10SN15S (JSCJ)
 
SOP-8 в ленте 4000 шт
 
 — — — —
P- NCEP0225G (NCE)
 
—
 
 ± — — —
P- WMB198N15HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
P- JMSH1535AG (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ NCEP1570GU (NCE)
 
—
 
 ± — — —
A+ NCEP02T10 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 ± — — —
A+ NCEP02T10D (NCE)
 
TO263 в ленте 200 шт
 
 ± — — —
A+ NCEP1570 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 ± — — —
A+ CRSM100N15N3Z (CRMICRO)
 
—
 
 — — —
A+ NCEP1580GU (NCE)
 
—
 
 ± — — —
A+ CRSM100N15N3 (CRMICRO)
 
—
 
 — — —
A+ JMSH1509AG-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ CRSS109N20N (CRMICRO)
 
TO263 в ленте 25 шт
 
 — — —
A+ WMK198N15HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
A+ WMK115N15HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
A+ CRSQ113N20N (CRMICRO)
 
TO-247-3 в линейках 1000 шт — — —
A+ JMSH1509AE-13 (JIEJIE)
 
TO263 800 шт
 
 — — — —
A+ JMSH1507AGN-13 (JIEJIE)
 
DFN-8 VDFN8 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMSH1516AC-U (JIEJIE)
 
TO2203L 50 шт
 
 — — — —
A+ IRFB5615 (EVVO)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — — — —
A+ NCEP1580 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 ± — — —
A+ NCEP02T10T (NCE)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт ± — — —
A+ JMSH1509AC-U (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
 — — — —
A+ WMB115N15HGD (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ WMM340N20HG2 (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — — — — —
A+ WMM115N15HG2 (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — —
A+ CJAC70SN15 (JSCJ)
 
— 100 шт
 
 ± — — — — —
A+ WMK340N20HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — — — — —
A+ CRSS109N20NZ (CRMICRO)
 
TO263
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJG55G15H COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=6V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 150V 55A ＜19mΩ ＜23mΩ General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Low RDS(on) & FOM ● Excellent stability and uniformity ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● Power management ● Portable equipment ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Units Drain-source Voltage VDS 150 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 7 TA=25℃ 4 TA=100℃ Drain Current Pulsed Drain Current ID A TC=25℃ 55 TC =100℃ 34 A Avalanche energy B IDM 130 A EAS 81 mJ 2.5 TA=25℃ 1 TA=100℃ Total Power Dissipation C PD W TC=25℃ 89 TC =100℃ 35 Junction and Storage Temperature Range ℃ -55～+150 TJ ,TSTG ■Thermal resistance Parameter Symbol Typ Max Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Steady-State RθJA 40 50 Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State RθJC 1.1 1.4 Units ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJG55G15H F1 YJG55G15H 5000 10000 100000 13“ reel 1/8 S-E359 Rev.1.1,24-Oct-23 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJG55G15H 

Дата модификации: 24.10.2023

Размер: 683.8 Кб

8 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    23 ноября 2023
    новость

    Новые SJ и SGT MOSFET SUNCO для построения эффективных инверторов

    Возобновляемые источники электроэнергии и устройства ее хранения в условиях постоянного растущего энергопотребления играют очень важную роль. Для использования энергии, генерируемой солнечными панелями, применяется инвертор – устройство,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)