YJG55G15H

RoHS YJG55G15H COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=6V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 150V 55A <19mΩ <23mΩ General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Low RDS(on) & FOM ● Excellent stability and uniformity ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammabil...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN8L5X6
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 20

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMK340N20HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ JMSH1509AG-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ WMM340N20HG2 (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ NCEP1580GU (NCE)
 
 
±
A+ NCEP1580D (NCE)
 
TO263
 
±
A+ NCEP1570GU (NCE)
 
 
±
A+ NCEP02T10T (NCE)
 
TO-247-3 1 шт ±
A+ NCEP02T10D (NCE)
 
TO263 в ленте 200 шт
 
±
A+ NCEP02T10 (NCE)
 
TO-220-3
 
±
A+ JMSH1507AGN-13 (JIEJIE)
 
DFN-8 VDFN8 5000 шт
 
A+ YJG75G15H (YJ)
 
 
A+ WMM115N15HG2 (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ CJAC70SN15 (JSCJ)
 
 
±
A+ CRSQ113N20N (CRMICRO)
 
TO-247-3 в линейках 1000 шт
A+ NCEP1580 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
±
A+ JMSH1509AC-U (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
A+ WMK198N15HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMK115N15HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMB115N15HGD (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ CRSS109N20N (CRMICRO)
 
TO263 в ленте 25 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
Документация на YJG55G15H 

Дата модификации: 24.10.2023

Размер: 683.8 Кб

8 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    23 ноября 2023
    новость

    Новые SJ и SGT MOSFET SUNCOYJ для построения эффективных инверторов

    Возобновляемые источники электроэнергии и устройства ее хранения в условиях постоянного растущего энергопотребления играют очень важную роль. Для использования энергии, генерируемой солнечными панелями, применяется инвертор – устройство,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.