Вход / Регистрация

YJG75G15H

SUNCO
RoHS YJG75G15H COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 150V 75A ＜11.8mΩ General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability R...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 29

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJAC70SN15 (JSCJ)
 
— 100 шт
 
 ± — — — — —
P- WMB115N15HGD (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — —
P- WMO080N10HG2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 800 шт
 
 — — — — — —
P- CRSM100N15N3 (CRMICRO)
 
—
 
 — — —
P- NCEP1570GU (NCE)
 
—
 
 ± — — —
P- NCEP1580GU (NCE)
 
—
 
 ± — — —
P- JMSH1509AG (JIEJIE)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —
A+ JMSH1507AGN-13 (JIEJIE)
 
DFN-8 VDFN8 5000 шт
 
 — — — —
A+ WMM071N15HG2 (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — —
A+ CRSM100N15N3Z (CRMICRO)
 
—
 
 — — —
A+ NCEP15T14D (NCE)
 
TO263 5 шт
 
 ± — — —
A+ NCEP15T14 (NCE)
 
TO-220-3 10 шт
 
 ± — — —
A+ NCEP02T10D (NCE)
 
TO263 в ленте 200 шт
 
 ± — — —
A+ WMK115N15HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
A+ JMSH2010PE-13 (JIEJIE)
 
TO263 800 шт
 
 — — — —
A+ JMSH1509AG-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMSH1509AE-13 (JIEJIE)
 
TO263 800 шт
 
 — — — —
A+ NCEP1580 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 ± — — —
A+ JMSH1507AE-13 (JIEJIE)
 
TO263 800 шт
 
 — — — —
A+ JMSH1507AC-U (JIEJIE)
 
TO2203L 50 шт
 
 — — — —
A+ NCEP02T10 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 ± — — —
A+ WML071N15HG2 (WAYON)
 
TO220F 1 шт
 
 — — —
A+ CRSQ113N20N (CRMICRO)
 
TO-247-3 в линейках 1000 шт — — —
A+ NCEP15T14T (NCE)
 
TO-247-3 в линейках 600 шт
 
 — — —
A+ NCEP02T10T (NCE)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт ± — — —
A+ JMSH1509AC-U (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
 — — — —
A+ WMK071N15HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 500 шт
 
 — — — — — —
A+ WMM115N15HG2 (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — —
A+ CRSS109N20N (CRMICRO)
 
TO263 в ленте 25 шт
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJG75G15H COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 150V 75A ＜11.8mΩ General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● Power switching application ● Uninterruptible power supply ● DC-DC convertor ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 150 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 11 TA=25℃ 7 TA=100℃ Drain Current Pulsed Drain Current Unit ID A TC=25℃ 75 TC =100℃ 47 A Avalanche energy B IDM 230 A EAS 361 mJ 2.5 TA=25℃ 1 TA=100℃ Total Power Dissipation C PD W TC=25℃ 125 TC =100℃ 50 Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55～+150 ■Thermal resistance Parameter Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Symbol Typ Max Steady-State RθJA 40 50 Steady-State RθJC 0.8 1 Units ℃/W Thermal Resistance Junction-to-Case ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJG75G15H F1 YJG75G15H 5000 10000 100000 13“ reel 1/8 S-E374 Rev.1.1,24-Oct-23 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJG75G15H 

Дата модификации: 24.10.2023

Размер: 691.3 Кб

8 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    23 ноября 2023
    новость

    Новые SJ и SGT MOSFET SUNCO для построения эффективных инверторов

    Возобновляемые источники электроэнергии и устройства ее хранения в условиях постоянного растущего энергопотребления играют очень важную роль. Для использования энергии, генерируемой солнечными панелями, применяется инвертор – устройство,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)