NCEP050N12D

NCE
Pb Free Product NCEP050N12, NCEP050N12D NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description The series of devices uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 10

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMK071N15HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 500 шт
 
 — — — — — —
A+ WMK072N12HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — — — — —
A+ NCEP12T12D (NCE)
 
TO263
 
 ± — — —
A+ NCEP12T12 (NCE)
 
TO-220-3
 
 ± — — —
A+ NCEP028N12LL (NCE)
 
— 180 шт
 
 ± — — —
A+ WMK058N12HG2 (WAYON)
 
TO-220-3
 
 — — — — — —
A+ WMK049N12HG2 (WAYON)
 
TO-220-3
 
 — — — — — —
A+ WMB072N12HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
 — — — — — —
A+ WMB049N12HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
 — — — — — —
A+ CRST052N15N3Z (CRMICRO)
 
TO-220-3
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
Pb Free Product NCEP050N12, NCEP050N12D NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description The series of devices uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. Application ● DC/DC Converter ●Ideal for high-frequency switching and General Features ● VDS =120V,ID =130A RDS(ON)=4.5mΩ , typical (TO-220)@ VGS=10V RDS(ON)=4.3mΩ , typical (TO-263)@ VGS=10V ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) ● Very low on-resistance RDS(on) ● 175 °C operating temperature ● Pb-free lead plating 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! synchronous rectification TO-220 TO-263 Schematic Diagram Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCEP050N12 NCEP050N12 TO-220 - - - NCEP050N12D NCEP050N12D TO-263 - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 120 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 130 A ID (100℃) 93 A Pulsed Drain Current IDM 520 A Maximum Power Dissipation PD 220 W 1.47 W/℃ EAS 1050 mJ TJ,TSTG -55 To 175 ℃ Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 1) Operating Junction and Storage Temperature Range Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 http://www.ncepower.com V3.0 PDF
Документация на NCEP050N12D 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 08.05.2022

Размер: 1.28 Мб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)