WMK058N12HG2
WMK058N12HG2
120V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
WMK058N12HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET
technology that has been especially tailored to minimize the on-state
resistance and yet maintain superior switching performance. This device
is well suited for high efficiency fast switching applications.
GD
Features
⚫
S
TO-220
VDS= 120V, ID = 160A(Silicon Limi...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO-220-3
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO-220-3 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Максимальное напряжение затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 1
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | WMB049N12HG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | — | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMK058N12HG2
Shang Hai Wayon Thermo-Electro
Дата модификации: 26.07.2022
Размер: 472.6 Кб
6 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.