CRST052N15N3Z

CR Micro
CRST052N15N3Z, CRSS049N15N3Z SkyMOS3 N-MOSFET 150V, 4mΩ, 160A 华润微电子(重庆)有限公司 Features Product Summary • Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS3 technology VDS 150V • Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) 4mΩ • Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 160A • Qualified according to JEDEC criteria 100% DVDS Tested 100% Avalanche Tested Applications • Motor control and drive • Batte...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ JMSH1504NTL-13 (JIEJIE)
 
TO2473 2000 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
CRST052N15N3Z, CRSS049N15N3Z SkyMOS3 N-MOSFET 150V, 4mΩ, 160A 华润微电子(重庆)有限公司 Features Product Summary • Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS3 technology VDS 150V • Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) 4mΩ • Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 160A • Qualified according to JEDEC criteria 100% DVDS Tested 100% Avalanche Tested Applications • Motor control and drive • Battery management • UPS (Uninterrupible Power Supplies) CRST052N15N3Z CRSS049N15N3Z Package Marking and Ordering Information Part # Marking Package Packing Reel Size Tape Width Qty CRST052N15N3Z CRST052N15N3Z TO-220 Tube N/A N/A 50pcs CRSS049N15N3Z CRSS049N15N3Z TO-263 Tape N/A N/A 800/100 0pcs Symbol Value Unit VDS 150 V Absolute Maximum Ratings Parameter Drain-source voltage Continuous drain current TC = 25°C (Silicon limit) TC = 25°C (Package limit) ID TC = 100°C (Silicon limit) Pulsed drain current (TC = 25°C, tp limited by Tjmax) 168 160 A 106 ID pulse 640 A Avalanche energy, single pulse (ID = 70A, Rg=25Ω)[1] EAS 1225 mJ Gate-Source voltage VGS ±20 V Power dissipation (TC = 25°C) Ptot 284 W Tj , T stg -55...+150 °C Tsold 260 °C Operating junction and storage temperature Soldering temperature, wave soldering only allowed at leads (1.6mm from case for 10s) Rev 1.0 ©China Resources Microelectronics (Chongqing) Limited Page 1 PDF
Документация на CRST052N15N3Z 

Дата модификации: 12.09.2023

Размер: 1.36 Мб

12 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)