WMB049N12HG2

WAYON
WMB049N12HG2 120V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMB049N12HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench D D D D D D DD MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the s ss on-state resistance and yet maintain superior switching performance. G G ss This device is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN5060-8L Features ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN8L5X6
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMK049N12HG2 (WAYON)
 
TO-220-3
 
 — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
WMB049N12HG2 120V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMB049N12HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench D D D D D D DD MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the s ss on-state resistance and yet maintain superior switching performance. G G ss This device is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN5060-8L Features  VDS = 120V, ID = 100A RDS(on) < 5.5mΩ @ VGS = 10V  Green Device Available  100% EAS Guaranteed  Low Gate Charge  Low RDS(ON) RoHS D compliant G Applications S  Power Management in Switches  DC/DC Converter Absolute Maximum Ratings (TA = 25°C, unless otherwise noted) Parameter Drain-Source Voltage 10μs VDS Spike Gate-Source Voltage Symbol Value Unit VDS 120 V VSPIKE 130 V VGS ±20 V TC=25°C 100 ID Continuous Drain Current TC=100°C Pulsed Drain Current1 A 63 IDM 400 A EAS 245 mJ PD 113.6 W TJ , TSTG -55 to 150 °C Symbol Value Unit Thermal Resistance from Junction-to-Ambient3 RθJA 57 °C/W Thermal Resistance from Junction-to-Case RθJC 1.1 °C/W Single Pulse Avalanche Energy2 Total Power Dissipation TC=25°C Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristics Parameter Rev.2.1, 2023 Doc:W0803762 1/7 s PDF
Документация на WMB049N12HG2 

Shang Hai Wayon Thermo-Electro

Дата модификации: 05.12.2023

Размер: 976.1 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)