NCE0205IA
NCE0205IA
http://www.ncepower.com
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
The NCE0205IA uses advanced trench technology and
design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It
can be used in a wide variety of applications.
General Features
Schematic diagram
● VDS = 200V,ID =5A
RDS(ON) < 580mΩ @ VGS=10V (Typ:520mΩ)
● High density cell design for ultra low Rdson
●...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO251
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO251 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 4
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | WMO09N20TS (WAYON) | TO252 | в ленте 100 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | UF630G-TN3-R (UTC) | — | 30 шт |
| — | — | |||||||||||
A+ | NCEP0210Q (NCE) | DFN83X3 | ± | — | — | — | |||||||||||
A+ | NCE0208KA (NCE) | TO252 | ± | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на NCE0205IA
Microsoft Word - NCE0205IA data sheet.doc
Дата модификации: 29.04.2021
Размер: 305.4 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.