NCE0205IA
NCE0205IA
http://www.ncepower.com
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
The NCE0205IA uses advanced trench technology and
design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It
can be used in a wide variety of applications.
General Features
Schematic diagram
● VDS = 200V,ID =5A
RDS(ON) < 580mΩ @ VGS=10V (Typ:520mΩ)
● High density cell design for ultra low Rdson
●...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO251
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | TO251 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
| Заряд затвора |  | |
| Рассеиваемая мощность |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 4
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | WMO09N20TS (WAYON) | TO252 | в ленте 100 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | UF630G-TN3-R (UTC) | — | 30 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |
| A+ | NCEP0210Q (NCE) | DFN83X3 |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — |  | — | |||
| A+ | NCE0208KA (NCE) | TO252 |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на NCE0205IA
Microsoft Word - NCE0205IA data sheet.doc
Дата модификации: 29.04.2021
Размер: 305.4 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.