Вход / Регистрация

CS5N20A3

CR Micro
Silicon N-Channel Power MOSFET R ○ CS5N20 A3 General Description： VDSS 200 V ID 4.8 A VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology PD (T C=25℃) 40 W which reduce the conduction loss, improve switching RDS(ON)Typ 0.49 Ω CS5N20 A3, the silicon N-channel Enhanced performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power swit...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO251
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- WMO18N20T2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — —
P- NCE0205IA (NCE)
 
TO251
 
 ± — — — —
A+ UF630G-TN3-R (UTC)
 
— 30 шт — —
A+ WMO09N20TS (WAYON)
 
TO252 в ленте 100 шт
 
 — — —
A+ NCE0208KA (NCE)
 
TO252
 
 ± — — — —
A+ CS5N20A4 (CRMICRO)
 
TO252 5000 шт — — —

Файлы 1

показать свернуть
Silicon N-Channel Power MOSFET R ○ CS5N20 A3 General Description： VDSS 200 V ID 4.8 A VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology PD (T C=25℃) 40 W which reduce the conduction loss, improve switching RDS(ON)Typ 0.49 Ω CS5N20 A3, the silicon N-channel Enhanced performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. The package form is TO-251, which accords with the RoHS standard.. Features： l Fast Switching l Low ON Resistance(Rdson≤0.65Ω) l Low Gate Charge (Typical Data:7nC) l Low Reverse transfer capacitances(Typical:8pF) l 100% Single Pulse avalanche energy Test Applications： Power switch circuit of Video doorphone. Absolute（Tc= 25℃ unless otherwise specified）： Symbol Parameter VDSS ID IDM a1 VGS a2 EAS EAR IAR a1 a1 dv/dt a3 Rating Units Drain-to-Source Voltage 200 V Continuous Drain Current 4.8 A Continuous Drain Current T C = 100 °C 3.4 A Pulsed Drain Current 19.2 A Gate-to-Source Voltage ±30 V Single Pulse Avalanche Energy 125 mJ Avalanche Energy ,Repetitive 12 mJ Avalanche Current 1.6 A 5 V/ns 40 W 0.32 W/℃ 150，–55 to 150 ℃ 300 ℃ Peak Diode Recovery dv/dt Power Dissipation PD Derating Factor above 25°C TJ，T stg Operating Junction and Storage Temperature Range TL Maximum Temperature for Soldering W U X I C H I N A R E S O U R C E S H U A J I N G M I C R O E L E C T R O N I C S C O . , LT D . Page 1 of 10 2 0 1 5 V0 1 PDF
Документация на CS5N20A3 

CS5N20 A3

Дата модификации: 30.06.2015

Размер: 740.8 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)