LN2302LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET LN2302LT1G ●APPLICATIONS 1)High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 3 Improved Shoot-Through FOM 2)We declare that the material of product compliant with RoHS 1 requirements and Halogen Free 2 SOT– 23 (TO–236AB) ●FEATURES VDS= 20V RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@2.8A = 60m Ω RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@2.0A = 115m Ω 3 D ●...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT233
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Рассеиваемая мощность
  Примечание: Small Signal Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 23

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJL2300A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ CJ2302 SOT-23 (JSCJ)
 
 
A+ WM02N28M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ LN2502LT1G (LRC)
 
SOT233
 
± Small Signal Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
A+ LN2312SLT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
±
A+ LN2302KLT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
±
A+ AS2300 (ANBON)
 
SOT-23-3
 
A+ JMTL2302C (JIEJIE)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
A+ BLM2302 (CN BELL)
 
SOT-23-3
 
N-Channel Trench MOSFET, SOT23, 20 V, 2,9 A, 0,03 Ohm High Power and current handing capability, Lead free product is acquired, Surface Mount Package, Battery protection, Load switch, Power management
A+ MTM78E2B0LBF (PAN)
 
WSON-8 1 шт
 
Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ FK6K02010L (PAN)
 
WSMini6-F1-B
 
Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ YJL2302A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ AO3414A (YOUTAI)
 
SOT-23-3 180 шт
 
A+ CJ2102A (JSCJ)
 
SOT-323-3
A+ SI2302B (YOUTAI)
 
SOT-23-3 1 шт
 
A+ CJA9452 (JSCJ)
 
SOT893L
 
±
A+ YJL2302B (YJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
A+ NCE2302 (NCE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
±
A+ JMTL2302B (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ SI2302A (YOUTAI)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
±
A+ IRLML6246 (KLS)
 
1 шт
 
A+ WM02N31M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ S-LNP2601T1G (LRC)
 
 
±

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.