CJK1508
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS
CJK1508
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
V(BR)DSS
ID
RDS(on)TYP
7.7
15
8.6
SOT-23-3L
8
9.1
1. GATE
11.3
2. SOURCE
3. DRAIN D
FEATURE
z High dense cell design for extremely low RDS(ON)
z Exceptional on-resistance and maximum DC current capability
z ESD ...
развернуть ▼ свернуть ▲ 
- Группа: FET транзисторы
- Корпус: SOT233L
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | SOT233L | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
| Примечание |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 5
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | WMR15N02T1 (WAYON) | DFN62X2 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WM02DN085C (WAYON) | DFN62X3 |  |  |  | — |  | — |  | — | — | — | — | — | |||
| A+ | WM02DN095C (WAYON) | DFN62X3 |  |  |  | — |  | — |  | — | — | — | — | — | |||
| A+ | WM02DN110C (WAYON) | DFN62X3 |  |  |  | — |  | — |  | — | — | — | — | — | |||
| A+ | JMTV100N02A (JIEJIE) | DFN62X2 | 3000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — |
Файлы 1
показать свернуть
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.