CJK1508
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS
CJK1508
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
V(BR)DSS
ID
RDS(on)TYP
7.7
15
8.6
SOT-23-3L
8
9.1
1. GATE
11.3
2. SOURCE
3. DRAIN D
FEATURE
z High dense cell design for extremely low RDS(ON)
z Exceptional on-resistance and maximum DC current capability
z ESD ...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: SOT233L
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SOT233L | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
Примечание |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 5
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | WMR15N02T1 (WAYON) | DFN62X2 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WM02DN085C (WAYON) | DFN62X3 | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WM02DN095C (WAYON) | DFN62X3 | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WM02DN110C (WAYON) | DFN62X3 | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | JMTV100N02A (JIEJIE) | DFN62X2 | 3000 шт | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.