JMSL1003AG-13

JIEJIE
JMSL1003AG 100V 2.8m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Typ. Unit VDS 100 V VGS(th) 1.6 V 135 A • Pb-free Lead Plating ID (@ VGS = 10V) (1) RDS(ON) (@ VGS = 10V) 2.8 m • Halogen-free and RoHS-compliant RDS(ON) (@ VGS = 4.5V) 3.4 m • Ultra-low RDS(ON) • Low Gate Charge • 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Applications • Power Managerment in Telecom., Indu...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN8L5X6
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 19

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMM028N10HGD (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — —
A+ WMK072N12HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — — — — —
A+ NCEP026N10T (NCE)
 
TO-247-3 ± — — —
A+ NCEP026N10D (NCE)
 
TO263
 
 ± — — —
A+ NCEP026N10 (NCE)
 
TO-220-3
 
 ± — — —
A+ NCEP023N10D (NCE)
 
TO263 6 шт
 
 ± — — —
A+ NCEP01T18VD (NCE)
 
—
 
 ± — — —
A+ NCEP01T18D (NCE)
 
TO263
 
 ± — — —
A+ NCEP01T18 (NCE)
 
TO-220-3
 
 ± — — —
A+ WMK028N10HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — — — — —
A+ JMSH1003NE-13 (JIEJIE)
 
TO263 800 шт
 
 — — — —
A+ JMSH1003AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ WMB128N10T2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
 — — — — — —
A+ WMB072N12HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
 — — — — — —
A+ WMB049N12HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
 — — — — — —
A+ WMM028N10HG2 (WAYON)
 
TO263 5 шт
 
 — — — — — —
A+ IRFP4468 (EVVO)
 

IRFP4468 (INFIN) 		TO-247-3 в линейках 450 шт
 
 — — — — — — —
A+ CJB3R0SN10B (JSCJ)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — — — —
A+ NCEP028N12LL (NCE)
 
— 180 шт
 
 ± — — —

Файлы 1

показать свернуть
JMSL1003AG 100V 2.8m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Typ. Unit VDS 100 V VGS(th) 1.6 V 135 A • Pb-free Lead Plating ID (@ VGS = 10V) (1) RDS(ON) (@ VGS = 10V) 2.8 m • Halogen-free and RoHS-compliant RDS(ON) (@ VGS = 4.5V) 3.4 m • Ultra-low RDS(ON) • Low Gate Charge • 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Applications • Power Managerment in Telecom., Industrial Automation, CE • Current Switching in DC/DC & AC/DC Sub-systems • Motor Driving in Power Tool, E-vehicle, Robotics PDFN5x6-8L Top View Top View Pin Configuration Bottom View D 1 8 2 7 3 6 4 5 G S Ordering Information Device Package # of Pins Marking MSL TJ (°C) Media Quantity (pcs) JMSL1003AG-13 PDFN5x6-8L 8 SL1003A 1 -55 to 150 13-inch Reel 5000 Absolute Maximum Ratings (@ TA = 25°C unless otherwise specified) Parameter Symbol Value Unit Drain-to-Source Voltage VDS 100 V Gate-to-Source Voltage VGS ±20 V TC = 25°C Continuous Drain Current (1) 135 ID TC = 100°C Pulsed Drain Current (2) A 85 IDM 483 Avalanche Current (3) IAS 72 A Avalanche Energy (3) EAS 259 mJ Power Dissipation (4) TC = 25°C 114 PD TC = 100°C -55 to 150 10 VDS = 50V ID = 20A 16 8 12 6 VGS (V) RDS(ON) (m) °C Gate Charge RDS(ON) vs. VGS 20 8 ID = 20A 4 2 4 0 0 2 Rev. 1.3 W 45 TJ, TSTG Junction & Storage Temperature Range A 4 6 VGS (V) 8 10 0 20 JieJie Microelectronics Co., Ltd. All product information are copyrighted and subject to legal disclaimers 40 Qg (nC) 60 80 Page 1 of 5 PDF
Документация на JMSL1003AG-13 

JMSL1003AG_Rev1.3.xlsx

Дата модификации: 27.12.2022

Размер: 327.1 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)