CJB3R0SN10B

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-263-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJB3R0SN10B N-Channel Power MOSFET V(BR)DSS RDS(on)TYP ID 100V 2.5mΩ@10V 180A TO-26 3-2L DESCRIPTION The CJB3R0SN10B uses shielded gate trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES   1. GATE 2. DRAIN 3. ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 18

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMM028N10HGD (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ NCEP01T18 (NCE)
 
TO-220-3
 
±
A+ NCEP026N10D (NCE)
 
TO263
 
±
A+ NCEP026N10 (NCE)
 
TO-220-3
 
±
A+ NCEP023N10T (NCE)
 
TO-247-3 1 шт ±
A+ NCEP023N10LL (NCE)
 
 
±
A+ NCEP023N10D (NCE)
 
TO263 6 шт
 
±
A+ NCEP020N10LL (NCE)
 
в ленте 10 шт
 
±
A+ NCEP01T30T (NCE)
 
TO-247-3 ±
A+ NCEP01T18VD (NCE)
 
 
±
A+ NCEP01T18D (NCE)
 
TO263
 
±
A+ WMK028N10HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ JMSH1002AS-U (JIEJIE)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
A+ WMM028N10HG2 (WAYON)
 
TO263 5 шт
 
A+ WMB049N12HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ YJN280G10H (YJ)
 
TO-247-3
A+ IRFP4468 (EVVO)
 

IRFP4468 (INFIN)
TO-247-3 в линейках 450 шт
 
A+ NCEP026N10T (NCE)
 
TO-247-3 ±

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.