NCEP026N10D
NCEP026N10, NCEP026N10D
NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET
Description
The series of devices uses Super Trench II technology that is
uniquely optimized to provide the most efficient high frequency
General Features
● VDS =100V,ID =200A
switching performance. Both conduction and switching power
RDS(ON)=2.4mΩ , typical (TO-220)@ VGS=10V
losses are minimized due to an extremely low comb...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO263
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO263 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 14
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | YJN280G10H (YJ) | TO-247-3 |
| — | — | — | — | ||||||||||
A+ | NCEP028N12LL (NCE) | — | 180 шт | ± | — | — | — | ||||||||||
A+ | WMM028N10HG2 (WAYON) | TO263 | 5 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | NCEP023N10LL (NCE) | — | ± | — | — | — | |||||||||||
A+ | NCEP023N10D (NCE) | TO263 | 6 шт | ± | — | — | — | ||||||||||
A+ | NCEP023N10 (NCE) | TO-220-3 | в линейках 50 шт | ± | — | — | — | ||||||||||
A+ | NCEP020N10LL (NCE) | — | в ленте 10 шт | ± | — | — | — | ||||||||||
A+ | NCEP01T30T (NCE) | TO-247-3 |
| ± | — | — | — | ||||||||||
A+ | NCEP01T18VD (NCE) | — | ± | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMB049N12HG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | — | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | JMSH1002AS-U (JIEJIE) | TO2473 | в линейках 30 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | NCEP026N10T (NCE) | TO-247-3 |
| ± | — | — | — | ||||||||||
A+ | NCEP026N10 (NCE) | TO-220-3 | ± | — | — | — | |||||||||||
A+ | NCEP023N10T (NCE) | TO-247-3 | 1 шт |
| ± | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на NCEP026N10
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:
Дата модификации: 26.07.2021
Размер: 683.8 Кб
8 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.