JMSL0609AUQ-13
JMSL0609AUQ
60V 7.5m N-Ch Power MOSFET
Features
Product Summary
Parameter
Value
Unit
VDS
60
V
VGS(th)_Typ
1.6
V
44
A
• Pb-free Lead Plating
ID (@ VGS = 10V) (1)
RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)
7.5
m
• Halogen-free and RoHS-compliant
RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)
9.4
m
• Ultra-low ON-resistance, RDS(ON)
• Low Gate Charge, Qg
• 100% UIS and Rg Tested
• AEC-Q101 Qualified for Autom...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: PDFN8L3X3
- Норма упаковки: 5000 шт.
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | PDFN8L3X3 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Заряд затвора | ||
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 25
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | YJD80G06C (YJ) | TO252 | в ленте 2500 шт |
| — | — | |||||||||||
A+ | YJG85G06AK (YJ) | — | — | — | |||||||||||||
A+ | YJG80G06B (YJ) | PDFN8L5X6 | в ленте 5000 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | CJB85SN08C (JSCJ) | TO2632L | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | IRFR7546TR (YOUTAI) | TO-252-3 |
| — | — | ||||||||||||
A+ | CJU80N07 (JSCJ) | TO2522L | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | CJU68N06 (JSCJ) | TO2522L | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | CJU60SN08 (JSCJ) | TO2522L | 1 шт | ± | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | AOD2610E (YOUTAI) | TO-252-3 |
| — | — | ||||||||||||
A+ | WMB85N06T2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | — | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | WMQ048NV6LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | — | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | YJQ62G06A (YJ) | — | в ленте 10 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | YJG60G06A (YJ) | PDFN8L5X6 | в ленте 5000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | YJG70G06A (YJ) | — | 20 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | YJG80G06A (YJ) | — | 1 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | YJD80G06A (YJ) | TO252 |
| Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | — | ||||||||||||
A+ | NCE6080A (NCE) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт | ± | — | — | — | — | |||||||||
A+ | JMTK110N06A (JIEJIE) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | WMQ060N08LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMQ060N06LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMO80N06T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMO060N06LG2 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMK80N06T1 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | YJQ70G06A (YJ) | DFN83X3 | в ленте 5000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | TSM089N08LCR RLG (TSC) | PDFN568 | 2500 шт | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на JMSL0609AUQ-13
JMSL0609AUQ_Rev1.3.xlsx
Дата модификации: 23.12.2022
Размер: 337 Кб
5 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.