YJD80G06C

RoHS YJD80G06C COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 60V 80A <7.5 mohm <9.5 mohm General Description ● Split Gate Trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 1 ● ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 33

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= WMO048NV6LG4 (WAYON)
 
1 шт
 
P= NCE6080K (NCE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
±
P= WMO80N06TS (WAYON)
 
в ленте 2500 шт
 
P= CRTD105N06L (CRMICRO)
 
TO252
P= WMO030N06LG4 (WAYON)
 
TO252 в коробках 2500 шт
 
P= CJU70N06 (JSCJ)
 
TO2522L
 
±
P- JMTK110N06A (JIEJIE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- CJU40SN06 (JSCJ)
 
TO2522L
 
±
P- WMO50N06TS (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- WMO80N06T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- NCE6050KA (NCE)
 
TO2522L в ленте 2500 шт
 
±
A+ YJG80G06A (YJ)
 
1 шт
 
A+ YJD90N06A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт
A+ WMO100N07T1 (WAYON)
 
TO252
 
A+ YJB150G06AK (YJ)
 
TO263 в ленте 800 шт
A+ WMM90N08TS (WAYON)
 
TO263
 
A+ WML100N07TS (WAYON)
 
TO220F 10 шт
 
A+ WMK060N08HG2 (WAYON)
 
TO-220-3
 
A+ WMB85N06T2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ WMB100N07TS (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ YJG85G06AK (YJ)
 
 
A+ WMB034N06HG4 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ CS120N06C8 (CRMICRO)
 
TO220AB в линейках 1000 шт
 
A+ JMTK060N06A (JIEJIE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMO060N06LG2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMK80N06T1 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ YJG80G06B (YJ)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
A+ JMSH0804NC-U (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
A+ WMO030N06HG4 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ YJG95G06A (YJ)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
A+ WMB040N08HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMK100N07TS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ WMB034N06LG4 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 20 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJD80G06C COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 60V 80A <7.5 mohm <9.5 mohm General Description ● Split Gate Trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● DC-DC Converters ● Power management functions ● Industrial and Motor Drive application ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 60 V Gate-source Voltage VGS ±20 V Tc=25℃ Unit 80 Drain Current (Silicon limited) ID A Tc=100℃ 50 Pulsed Drain Current A Avalanche energy B IDM 240 A EAS 150 mJ Tc=25℃ 78 Total Power Dissipation C PD W Tc=100℃ 31 Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55~+150 ■Thermal resistance Parameter Symbol Thermal Resistance Junction-to-Ambient D t≤10S Typ Max 15 20 40 50 1.3 1.6 Units RθJA Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Steady-State Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State RθJC ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJD80G06C F1/F2 YJD80G06C 2500 2500 25000 13“ reel 1/6 S-E143 Rev.1.1,01-Apr-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJD80G06C 

Microsoft Word - YJD80G06C

Дата модификации: 02.04.2022

Размер: 1.02 Мб

6 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    17 августа 2023
    новость

    Современные технологии MOSFET азиатских производителей (материалы вебинара)

    8 августа состоялся вебинар, посвященный современным технологиям MOSFET, наиболее развитой группе азиатских производителей. С одной стороны, обилие предложений азиатских MOSFET предоставляет неограниченные возможности для проектирования устройств,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.