JMSL0406AG-13

JIEJIE
JMSL0406AG 40V 4.2mΩ N-Ch Power MOSFET Features Product Summary • Ultra-low RDS(ON) Parameter Typ. Unit • Low Gate Charge VDS 40 V • 100% UIS Tested, 100% Rg Tested VGS(th) 1.7 V ID (@ VGS = 10V) (1) 70 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) 4.2 mΩ RDS(ON) (@ VGS = 4.5V) 5.8 mΩ • Pb-free Lead Plating • Halogen-free and RoHS-compliant Applications • Power Management in Computing, CE, I...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN8L5X6
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 16

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJD120N04A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт — —
A+ CJU110SN04 (JSCJ)
 
TO2522L
 
 — — — — —
A+ WMB018N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ JMSH0406AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMSH0403AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMGG020V04A (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 2500 шт
 
 — — — —
A+ WMQ032N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ CJAC140SN04 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJAC90N04 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJAC130SN04L (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJAC130SN04 (JSCJ)
 
—
 
 — — — — —
A+ CJAC110SN04 (JSCJ)
 
—
 
 — — — — —
A+ YJG130G04A (YJ)
 
—
 
 Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 40V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ YJG100N04A (YJ)
 
PDFN568 в ленте 5000 шт
 
 — —
A+ CJP140N04 (JSCJ)
 
TO-220-3 1000 шт
 
 — — — — — —
A+ WMB032N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
JMSL0406AG 40V 4.2mΩ N-Ch Power MOSFET Features Product Summary • Ultra-low RDS(ON) Parameter Typ. Unit • Low Gate Charge VDS 40 V • 100% UIS Tested, 100% Rg Tested VGS(th) 1.7 V ID (@ VGS = 10V) (1) 70 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) 4.2 mΩ RDS(ON) (@ VGS = 4.5V) 5.8 mΩ • Pb-free Lead Plating • Halogen-free and RoHS-compliant Applications • Power Management in Computing, CE, IE 4.0, Communications • Current Switching in DC/DC & AC/DC (SR) Sub-systems • Load Switching, Quick/Wireless Charging, Motor Driving PDFN5x6-8L Pin Configuration Bottom View Type-B Bottom View Type-A Top View D Top View 1 8 2 7 3 6 4 5 G S Ordering Information Device Package # of Pins Marking MSL TJ (°C) Media Quantity (pcs) JMSL0406AG-13 PDFN5x6-8L 8 SL0406A 1 -55 to 150 13-inch Reel 5000 Absolute Maximum Ratings (@ TA = 25°C unless otherwise specified) Symbol Value Unit Drain-to-Source Voltage VDS 40 V Gate-to-Source Voltage VGS ±20 V Parameter Continuous Drain Current (1) TC = 25°C 70 ID TC = 100°C A 44 Pulsed Drain Current (2) IDM 254 Avalanche Current (3) IAS 27 A Avalanche Energy (3) EAS 36 mJ Power Dissipation (4) TC = 25°C 42 PD TC = 100°C -55 to 150 10 ID = 20A VDS = 20V 8 12 6 VGS (V) 16 8 4 ID = 20A 4 2 0 0 0 2 4 6 8 10 0 4 VGS (V) Rev. 1.4 °C Gate Charge RDS(ON) vs. VGS 20 RDS(ON) (mΩ) W 17 TJ, TSTG Junction & Storage Temperature Range A 8 12 16 20 Qg (nC) JieJie Microelectronics Co., Ltd. All product information are copyrighted and subject to legal disclaimers Page 1 of 5 PDF
Документация на JMSL0406AG-13 

JMSL0406AG_Rev1.4.xlsx

Дата модификации: 27.12.2022

Размер: 320.7 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)