Вход / Регистрация

CS50N20A0R

CR Micro
Silicon N-Channel Power MOSFET R ○ CS50N20 A0R General Description： VDSS 200 V ID 50 A VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology PD(TC=25℃) 250 W which reduce the conduction loss, improve switching RDS(ON)Typ 42 mΩ CS50N20 A0R, the silicon N-channel Enhanced performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switchin...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 17

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- WMM340N20HG2 (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — — — — —
A+ WMK340N20HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — — — — —
A+ CRSS109N20NZ (CRMICRO)
 
TO263
 
 — — —
A+ CS65N25ANR (CRMICRO)
 
TO3P — — —
A+ CS65N25AKR (CRMICRO)
 
TO-247-3 — — —
A+ CS60N20AKR (CRMICRO)
 
TO-247-3 1000 шт — — —
A+ CS60N20A8R (CRMICRO)
 
TO220AB
 
 — — —
A+ CS50N20A8R (CRMICRO)
 
TO220AB
 
 — — —
A+ NCEP02T10D (NCE)
 
TO263 в ленте 200 шт
 
 ± — — —
A+ NCEP02T10 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 ± — — —
A+ NCEP02580F (NCE)
 
TO220F
 
 ± — — —
A+ NCEP025F90T (NCE)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт ± — — —
A+ NCEP02580D (NCE)
 
TO263 36 шт
 
 ± — — —
A+ CS82N25AKR-G (CRMICRO)
 
TO-247-3 в линейках 1000 шт — — —
A+ IRFP4332PBF (JSMICRO)
 

IRFP4332PBF (INFIN) 		TO-247-3 в линейках 30 шт
 
 — — — — —
A+ NCEP02T10T (NCE)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт ± — — —
A+ NCEP0260 (NCE)
 
TO2203L в линейках 1000 шт
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
Silicon N-Channel Power MOSFET R ○ CS50N20 A0R General Description： VDSS 200 V ID 50 A VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology PD(TC=25℃) 250 W which reduce the conduction loss, improve switching RDS(ON)Typ 42 mΩ CS50N20 A0R, the silicon N-channel Enhanced performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. The package form is TO-263, which accords with the RoHS standard. Features： l Fast Switching l Low ON Resistance(Rdson≤51mΩ) l Low Gate Charge (Typical Data: 49.4nC) l Low Reverse transfer capacitances(Typical:34pF) l 100% Single Pulse avalanche energy Test Applications： Power switch circuit of adaptor and charger. Absolute（TJ= 25℃ unless otherwise specified）： Symbol Parameter VDSS Drain-to-Source Voltage ID IDM a1 VGS EAS a2 dv/dt a3 PD TJ，T stg Rating Units 200 V Continuous Drain Current T C = 25 °C 50 A Continuous Drain Current T C = 100 °C 38.5 A Pulsed Drain Current T C = 25 °C 200 A Gate-to-Source Voltage ±30 V Single Pulse Avalanche Energy 1700 mJ Peak Diode Recovery dv/dt 5.0 V/ns Power Dissipation T C = 25 °C 250 W Derating Factor above 25°C 2.0 W/℃ 150，–55 to 150 ℃ Operating Junction and Storage Temperature Range W U X I C H I N A R E S O U R C E S H U A J I N G M I C R O E L E C T R O N I C S C O . , LT D . Pag e 1 of 1 0 2 0 1 9 V0 1 PDF
Документация на CS50N20A0R 

CS50N20%20A0R[1]

Дата модификации: 02.09.2019

Размер: 391.4 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)