Вход / Регистрация

CS65N25ANR

CR Micro
Silicon N-Channel Power MOSFET R ○ CS65N25 ANR General Description： VDSS 250 V ID 65 A VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology PD (T C=25℃) 420 W which reduce the conduction loss, improve switching RDS(ON)Typ 42 mΩ CS65N25 ANR, the silicon N-channel Enhanced performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power s...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO3P
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ IRFP4332PBF (JSMICRO)
 

IRFP4332PBF (INFIN) 		TO-247-3 в линейках 30 шт
 
 — — — — —
A+ CS70N30AKR-G (CRMICRO)
 
TO-247-3 в линейках 1000 шт — — —
A+ CS70N30ANR (CRMICRO)
 
TO3P в линейках 10 шт — — —
A+ CS65N25AKR (CRMICRO)
 
TO-247-3 — — —
A+ NCEP025F90T (NCE)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт ± — — —
A+ NCEP02580F (NCE)
 
TO220F
 
 ± — — —
A+ NCEP02580D (NCE)
 
TO263 36 шт
 
 ± — — —
A+ CS82N25AKR-G (CRMICRO)
 
TO-247-3 в линейках 1000 шт — — —

Файлы 1

показать свернуть
Silicon N-Channel Power MOSFET R ○ CS65N25 ANR General Description： VDSS 250 V ID 65 A VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology PD (T C=25℃) 420 W which reduce the conduction loss, improve switching RDS(ON)Typ 42 mΩ CS65N25 ANR, the silicon N-channel Enhanced performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. The package form is TO-3P （N）, which accords with the RoHS standard.. Features： l Fast Switching l Low ON Resistance(Rdson≤50mΩ) l Low Gate Charge (Typical Data:90.1nC) l Low Reverse transfer capacitances(Typical:44 pF) l 100% Single Pulse avalanche energy Test Applications： Power switch circuit of electron ballast and adaptor. Absolute（TJ= 25℃ unless otherwise specified）： Symbol Parameter VDSS Drain-to-Source Voltage ID IDM a1 VGS EAS a2 dv/dt a3 Rating Units 250 V Continuous Drain Current T C = 25 °C 65 A Continuous Drain Current T C = 100 °C 39 A Pulsed Drain Current T C = 25 °C 260 A Gate-to-Source Voltage ±30 V Single Pulse Avalanche Energy 2000 mJ Peak Diode Recovery dv/dt 5.0 V/ns Power Dissipation T C = 25 °C 420 W Derating Factor above 25°C 3.4 W/℃ 150，–55 to 150 ℃ 300 ℃ PD TJ，T stg Operating Junction and Storage Temperature Range TL Maximum Temperature for Soldering W U X I C H I N A R E S O U R C E S H U A J I N G M I C R O E L E C T R O N I C S C O . , LT D . Pag e 1 of 1 0 2019V01 PDF
Документация на CS65N25ANR 

CS65N25%20ANR[1]

Дата модификации: 07.11.2019

Размер: 399 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)