CS82N25AKR-G
Silicon N-Channel Power MOSFET
R
○
CS82N25 AKR-G
General Description :
VDSS
250
V
ID
82
A
VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology
P D (TC=25℃)
250
W
which reduce the conduction loss, improve switching
RDS(ON)Typ
25
mΩ
performance and enhance the avalanche energy. The transistor
TO-247
CS82N25 AKR-G, the silicon N-channel Enhanced
can be used in various ...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO-247-3
- Норма упаковки: 1000 шт. (в линейках)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO-247-3 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 3
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P- | NCEP025F90T (NCE) | TO-247-3 | в линейках 30 шт |
| ± | — | — | — | |||||||||
A+ | NCEP02580D (NCE) | TO263 | 36 шт | ± | — | — | — | ||||||||||
A+ | NCEP02580F (NCE) | TO220F | ± | — | — | — |
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.