Вход / Регистрация

CS82N25AKR-G

CR Micro
Silicon N-Channel Power MOSFET R ○ CS82N25 AKR-G General Description ： VDSS 250 V ID 82 A VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology P D (TC=25℃) 250 W which reduce the conduction loss, improve switching RDS(ON)Typ 25 mΩ performance and enhance the avalanche energy. The transistor TO-247 CS82N25 AKR-G, the silicon N-channel Enhanced can be used in various ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-247-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- NCEP025F90T (NCE)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт ± — — —
A+ NCEP02580D (NCE)
 
TO263 36 шт
 
 ± — — —
A+ NCEP02580F (NCE)
 
TO220F
 
 ± — — —

Файлы 1

показать свернуть
Silicon N-Channel Power MOSFET R ○ CS82N25 AKR-G General Description ： VDSS 250 V ID 82 A VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology P D (TC=25℃) 250 W which reduce the conduction loss, improve switching RDS(ON)Typ 25 mΩ performance and enhance the avalanche energy. The transistor TO-247 CS82N25 AKR-G, the silicon N-channel Enhanced can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. The package form is TO-247, which accords with the RoHS standard. Features：  Fast Switching  Low ON Resistance(Rdson≤35mΩ)  Low Gate Charge (Typical Data: 148.5nC)  Low Reverse transfer capacitances(Typical: 73.9pF)  100% Single Pulse avalanche energy Test  Halogen Free Applications： Power switch circuit of electron ballast and adaptor. Absolute（Tc= 25℃ unless otherwise specified）： Symbol Parameter VDSS Drain-to-Source Voltage Rating Units 250 V Continuous Drain Current 82 A Continuous Drain Current TC = 100 °C 48 A Pulsed Drain Current 328 A Gate-to-Source Voltage ±30 V Single Pulse Avalanche Energy 3600 mJ Peak Diode Recovery dv/dt 5.0 V/ns Power Dissipation 250 W 2 W/℃ 150，–55 to 150 ℃ ID IDM a1 VGS EAS a2 dv/dt a3 PD Derating Factor above 25°C TJ，Tstg Operating Junction and Storage Temperature Range W U X I C H I N A R E S O U R C E S H U A J I N G M I C R O E L E C T R O N I C S C O . , LT D . Page 1 of 10 2 0 2 2 V0 1 PDF
Документация на CS82N25AKR-G 

产品特点：

Дата модификации: 04.03.2022

Размер: 832.8 Кб

10 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    18 марта 2024
    новость

    Новые полевые транзисторы и сборки производства CR MICRO поступили на склад КОМПЭЛ

    Ассортимент продукции, представленной на нашем складе, недавно пополнили транзисторы и сборки MOSFET производства китайской компании China Resources Microelectronics Limited (CR MICRO). Она была основана в 2002 году и является частью огромного... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)