BL18N20

BL18N20 Power MOSFET 1.Description Step-Down Converter BL18N20, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V DS 200 ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 12

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ CS18N20A8R (CRMICRO)
 
TO220AB в линейках 1000 шт
 
A+ NCEP02525K (NCE)
 
TO252
 
±
A+ NCEP02525F (NCE)
 
TO220F
 
±
A+ NCEP0225K (NCE)
 
TO252
 
±
A+ NCEP0225G (NCE)
 
 
±
A+ NCEP0218K (NCE)
 
TO252 200 шт
 
±
A+ NCE0224K (NCE)
 
TO252 150 шт
 
±
A+ NCE0224D (NCE)
 
TO263 55 шт
 
±
A+ NCE0224AK (NCE)
 
TO252
 
±
A+ CS18N20A4R-G (CRMICRO)
 
TO252 в ленте 5000 шт
A+ WMO18N20T2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ UF640G-TN3-R (UTC)
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.