NCE0224K

NCE
NCE0224K http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0224K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =200V,ID =24A Schematic diagram RDS(ON) < 80mΩ @ VGS=10V (Typ:64mΩ) ● High density cell design for ultra low Rdson ● Ful...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMB340N20HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 800 шт
 
 — — — — — —
A+ NCEP02525K (NCE)
 
TO252
 
 ± — — —
A+ NCEP02525F (NCE)
 
TO220F
 
 ± — — —
A+ NCEP0225K (NCE)
 
TO252
 
 ± — — —
A+ NCEP0225G (NCE)
 
—
 
 ± — — —
A+ NCE0240 (NCE)
 
TO-220-3 20 шт
 
 ± — — — —
A+ NCE0224D (NCE)
 
TO263 55 шт
 
 ± — — — —
A+ NCE0224AK (NCE)
 
TO252
 
 ± — — — —

Файлы 1

показать свернуть
NCE0224K http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0224K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =200V,ID =24A Schematic diagram RDS(ON) < 80mΩ @ VGS=10V (Typ:64mΩ) ● High density cell design for ultra low Rdson ● Fully characterized avalanche voltage and current ● Good stability and uniformity with high EAS ● Excellent package for good heat dissipation ● Special process technology for high ESD capability Application ● Power switching application Marking and pin assignment ● Hard switched and high frequency circuits ● Uninterruptible power supply 100% UIS TESTED! 100% ∆Vds TESTED! TO-252 top view Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCE0224K NCE0224K TO-252 - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 200 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 24 A ID (100℃) 17 A IDM 96 A PD 150 W EAS 250 mJ Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Pulsed Drain Current (Note 1) Maximum Power Dissipation Single pulse avalanche energy (Note 5) VDS Spike (Note 6) 10μs 240 TJ,TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range V -55 To 175 ℃ Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Case(Note 2) Wuxi NCE Power Co., Ltd RθJC Page 1 1 ℃/W v2.0 PDF
Документация на NCE0224K 

Microsoft Word - NCE0224K data sheet.doc

Дата модификации: 24.11.2020

Размер: 383.4 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)