YJT33C60HJ

SUNCO
RoHS YJT33C60HJ COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 600V 33A ＜72mΩ General Description ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● EV...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TOLL
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJT33C60HJ COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 600V 33A ＜72mΩ General Description ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● EV Charger ● AC-DC Power Management ● Sever/Telecom/PC Power ■ Absolute Maximum Ratings (TJ=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 600 V Gate-source Voltage VGS ±30 V 3.9 TA=25℃ , VGS= 10V Continuous Drain Current (Note 1,2 ) Unit Steady-State 2.4 TA=100℃, VGS= 10V ID A TC=25℃, VGS= 10V 33 TC =100℃, VGS= 10V 20 Continuous Drain Current (Note 1,3 ) Steady-State Pulsed Drain Current TC=25℃, tp=100µs Avalanche energy VG=10V, RG=25Ω, L=30mH, IAS=7.7A Total Power Dissipation (Note 1,2) Steady-State IDM 110 A EAS 889.35 mJ 2.97 TA=25℃ 1.19 TA=100℃ PD W TC=25℃ 250 TC =100℃ 100 Total Power Dissipation (Note 1,3 ) Steady-State MOSFET dv/dt ruggedness VDS=0…300V, Rg=12Ω dv/dt 60 Reverse diode dv/dt VDS=0…300V, ID<=32A, di/dt=200A/us dv/dt 165 Maximum diode commutation speed VDS=0…300V, ID<=32A, Rg=12Ω dif/dt 657 A/us TJ ,TSTG -55～+150 ℃ V/ns Junction and Storage Temperature Range ■Thermal resistance Parameter Symbol Typ Max Thermal Resistance Junction-to-Ambient (Note 2) Steady-State RθJA 35 42 Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State RθJC 0.4 0.5 Units ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJT33C60HJ F1 YJT33C60HJ 2000 4000 20000 13“ reel 1/8 S-E535 Rev.1.0,10-May-24 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJT33C60HJ 

Дата модификации: 11.05.2024

Размер: 767 Кб

8 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    20 августа
    новость

    Транзисторы SJ MOSFET от SUNCO – решение для напряжений до 600 В

    Кремниевые транзисторы MOSFET продолжают оставаться основой силовой электроники. Причины – хорошо отработанная технология, низкая цена, простота схем управления. Для того, чтобы повысить максимально допустимое напряжение между стоком и истоком,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)