Современные технологии MOSFET азиатских производителей (материалы вебинара)

17 августа 2023

8 августа состоялся вебинар, посвященный современным технологиям MOSFET, наиболее развитой группе азиатских производителей. С одной стороны, обилие предложений азиатских MOSFET предоставляет неограниченные возможности для проектирования устройств, а с другой – создает сложности при выборе нужного решения.

На вебинаре мы обсудили, какие технологии MOSFET уже освоили азиатские производители, куда стремится вектор технологического развития этой группы продукции, а также как легко найти необходимые для ваших разработок MOSFET китайских брендов с оптимальным соотношением «цена/качество» и стабильными и минимальными сроками поставок.

Видеозапись

Презентация и дополнительные материалы

• Современные технологии MOSFET азиатских производителей (презентация вебинара)
• MOSFET азиатских производителей
• 1200 В карбид-кремниевые MOSFET от SUNCO – высокая стабильность параметров и скорость переключения 
• Новая серия SGT MOSFET N150V – специальное решение для PoE от SUNCO
• Решения на базе компонентов JSCJ для обвязки счетчика электроэнергии

Материалы прошедших вебинаров по дискретным и силовым компонентам

• Силовое электрооборудования для транспорта
• Азиатские производители дискретных и силовых компонентов

Ответы на вопросы

Мы пытались измерять падение в канале под нагрузкой при одном и том же токе и напряжении затвора MOSFET разных производителей. Азиатский аналог показал в два раза худший результат, по сравнению с продукцией недоступного бренда, и не соответствовал документации. Однако при этом заметного роста температуры радиатора не было. В чем секрет?

Предполагаю, что у китайского транзистора может отличаться график «Transfer Characteristics»: при равных Vgs сопротивление R_ds(ON) китайского MOSFET будет выше.

Также причина может быть в более высоких динамических потерях, что сильно проявляется в схемах со скоростным переключением.

Интересует график безопасной работы (живучести) MOSFET. У одного из ушедших немецких производителей с каждой новой технологией сопротивление уменьшалось, а этот график ухудшался.

Вы верно отметили: уменьшение R_ds(ON) достигается за счет увеличения плотности размещения параллельно соединенных ячеек на кристалле. Их суммарное сопротивление складывается как 1/R. При этом размер каждой отдельной ячейки приходится уменьшать, что замедляет охлаждение (отведение тепла) и негативно влияет на значение рассеиваемой мощности Pd. Она в свою очередь сильно влияет на форму графика SOA, особенно на диагональную область, которая ограничена именно максимальной рассеиваемой мощностью.