NTD20N06LT4G

UMW R NTD20N06L 60V N-Channel MOSFET Typical Applications • • • • D Power Supplies Converters Power Motor Controls G Bridge Circuits S Features VDS ID (at VGS=10V) 60V 20A RDS(ON) (at VGS=4.5V) < 35mΩ MAXIMUM RATINGS (TJ = 25°C unless otherwise noted) Symbol Value Unit Drain−to−Source Voltage VDSS 60 Vdc Drain−to−Gate Voltage (RGS = 10 MW) VDGR 60 Vdc Continuous Non−r...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 24

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJD20N06A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт
A+ JMTK290N06A (JIEJIE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WML18N06TS (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ CJAE28SN06 (JSCJ)
 
 
±
A+ 20N06 (YOUTAI)
 
TO252 в ленте 2500 шт ±
A+ FQD20N06 (YOUTAI)
 
в ленте 5 шт
A+ CJAB25SN06 (JSCJ)
 
100 шт
 
A+ YJG30N06A (YJ)
 
10 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ YJG20N06A (YJ)
 
1 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.043ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ NCE6020AK (NCE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
±
A+ NCE6020A (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
±
A+ YJR20N06A (YJ)
 
TO251 в линейках 4950 шт
A+ 30N06 (YOUTAI)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
±
A+ CJU20N06A (JSCJ)
 
TO2522L в ленте 2500 шт
 
±
A+ 25N06 (YOUTAI)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
±
A+ STD30NF06L (YOUTAI)
 
TO252 в ленте 2500 шт ±
A+ STD20NF06L (YOUTAI)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
±
A+ WMK25N06TS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMB26N06TS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMQ30N06TS (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ WMQ20N06TS (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ WMO35N06T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMO25N06TS (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ CJAE35SN06 (JSCJ)
 
 
±

Файлы 1

показать свернуть
UMW R NTD20N06L 60V N-Channel MOSFET Typical Applications • • • • D Power Supplies Converters Power Motor Controls G Bridge Circuits S Features VDS ID (at VGS=10V) 60V 20A RDS(ON) (at VGS=4.5V) < 35mΩ MAXIMUM RATINGS (TJ = 25°C unless otherwise noted) Symbol Value Unit Drain−to−Source Voltage VDSS 60 Vdc Drain−to−Gate Voltage (RGS = 10 MW) VDGR 60 Vdc Continuous Non−repetitive (tpv10 ms) VGS VGS ±15 ±20 Continuous @ TA = 25°C Continuous @ TA = 100°C Single Pulse (tpv10 ms) ID ID 20 10 60 Adc 60 0.40 1.88 1.36 W W/ °C W W TJ, Tstg −55 to +175 °C EAS 128 mJ Junction−to−Case RqJC 2.5 Junction−to−Ambient (Note 1) RqJA 80 Junction−to−Ambient (Note 2) RqJA 110 TL 260 Rating Vdc Gate−to−Source Voltage Drain Current IDM Total Power Dissipation @ TA = 25°C Derate above 25°C Total Power Dissipation @ TA = 25°C (Note 1) Total Power Dissipation @ TA = 25°C (Note 2) PD Operating and Storage Temperature Range Single Pulse Drain−to−Source Avalanche Energy − Starting TJ = 25°C (VDD = 25 Vdc, VGS = 5.0 Vdc, L = 1.0 mH, IL(pk) = 16 A, VDS = 60 Vdc) Thermal Resistance Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes, 1/8 in from case for 10 seconds Apk ° C/W °C Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be assumed, damage may occur and reliability may be affected. 1. When surface mounted to an FR4 board using 1 in pad size, (Cu Area 1.127 in2). 2. When surface mounted to an FR4 board using recommended pad size, (Cu Area 0.412 in2). www.umw-ic.com 1 UTD Semiconductor Co.,Limited PDF
Документация на NTD20N06LT4G 

UMW NTD20N06LT4G

Дата модификации: 02.09.2022

Размер: 428.1 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.