WMQ20N06TS
WMQ20N06TS
60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
WMQ20N06TS uses advanced power trench technology that
has been especially tailored to minimize the on-state resistance
D
D
D
D
D
D
D
D
and yet maintain superior switching performance.
Features
S
VDS= 60V, ID = 20A
S
S
G
G
S
PDFN3030-8L
RDS(on) < 32mΩ @ VGS = 10V
RDS(on) < 40mΩ @ VGS = 4.5V
Extremely L...
развернуть ▼ свернуть ▲ 
- Группа: FET транзисторы
- Корпус: PDFN8L3X3
- Норма упаковки: 3000 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | PDFN8L3X3 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора |  | |
| Максимальное напряжение затвора |  | |
| Заряд затвора |  | |
| Рассеиваемая мощность |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 24
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | YJD20N06A (YJ) | TO252 | в ленте 2500 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |
| A+ | NCE6020AK (NCE) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMO25N06TS (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | 35N06 (YOUTAI) | TO252 |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | CJAE35SN06 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | CJAE28SN06 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | 20N06 (YOUTAI) | TO252 | в ленте 2500 шт |
|  |  |  |  |  | ± |  |  |  | — | — | — | |
| A+ | FQD20N06 (YOUTAI) | — | в ленте 5 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |
| A+ | CJAB25SN06 (JSCJ) | — | 100 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | YJG30N06A (YJ) | — | 10 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |  | — | ||
| A+ | YJG20N06A (YJ) | — | 1 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.043ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |  | — | ||
| A+ | NCE6020A (NCE) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — | — | — | ||
| A+ | CJU20N06A (JSCJ) | TO2522L | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | ||
| A+ | YJR20N06A (YJ) | TO251 | в линейках 4950 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |
| A+ | JMTK290N06A (JIEJIE) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | 30N06 (YOUTAI) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  | ± |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | 25N06 (YOUTAI) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  | ± |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | STD30NF06L (YOUTAI) | TO252 | в ленте 2500 шт |
|  |  |  |  |  | ± |  |  |  | — | — | — | |
| A+ | STD20NF06L (YOUTAI) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  | ± |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | WMK25N06TS (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | WMB26N06TS (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | WMQ30N06TS (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | WMO35N06T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | STD35NF06L (YOUTAI) | — | 1 шт |  |  |  | — |  | ± |  |  |  | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMQ20N06TS
Shang Hai Wayon Thermo-Electro
Дата модификации: 18.11.2022
Размер: 1003.4 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.